李俊峰
- 作品数：3 被引量：18H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 测试方法对硅片表面微粗糙度测量结果影响的研究被引量：6
- 2009年
- 随着大规模集成电路的快速发展,硅片表面微粗糙度对于器件制造的影响也越来越受到人们的重视。介绍了几种测量硅片表面微粗糙度的测试方法,并将它们分成三类,简单阐述了每一类测试方法的测试原理,影响测试结果的因素,从实际应用的角度详细阐述了这三类测试方法的适用情况、通过详细的测试数据及图形对这三类测试方法进行了分析,并对这三类测试方法进行了比较。最后简单介绍了纳米形貌和硅片表面微粗糙度之间的关系。
- 孙燕李莉孙媛李婧璐李俊峰徐继平
- 关键词：硅片
- 重掺硼硅片表面清洗研究
- 2017年
- 研究了SC-1清洗过程对重掺硼和轻掺硼硅片表面颗粒、微粗糙度的影响及其清洗后硅片表面化学组态分布,采用表面颗粒激光扫描仪、原子力显微镜及X射线光电子能谱(XPS)对重掺硼和轻掺硼硅片在SC-1清洗过程中表现的不同清洗特性进行分析。结果表明:在SC-1清洗中,重掺硼硅片表面更容易吸附颗粒,需要更长的清洗时间来得到清洁表面;随清洗时间延长,重轻掺硅片表面微粗糙度均有增大趋势,且重掺硼硅片表面微粗糙度始终比轻掺硼硅片大,通过表面高度结果可知,相同清洗条件下,重掺硼硅片表面纵向腐蚀深度比轻掺硼大0.3 nm,与(111)面的晶面间距相近;XPS结果显示重掺硼硅单晶中大量硼原子的引入对SC-1清洗过程中的各向异性腐蚀有一定的增强效果,适当改变SC-1清洗中的氧化剂的含量有助于得到更好的表面质量。
- 墨京华李俊峰刘大力刘斌鲁进军周旗钢
- HF／O_3在300mm硅片清洗中的应用被引量：12
- 2006年
- 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上,对新发展的HF／O3槽式清洗法和HF／O3 单片清洗法进行了详细的说明,从而对300mm硅片清洗方法的未来发展方向进行了简单论述。
- 闫志瑞李俊峰刘红艳张静李莉
- 关键词：硅片RCA清洗
