刘红艳
- 作品数：3 被引量：14H指数：1
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 多晶硅沉积厚度对氧沉淀和洁净区形成的影响被引量：1
- 2016年
- 硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用。通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄膜,借助择优腐蚀和金相显微(OM)观察等手段研究了沉积厚度对重掺硼硅片内氧沉淀形成与分布的影响。结果表明:沉积的多晶硅薄膜越厚,硅片的形变量越大,小尺寸的氧沉淀数量增多并在表面附近聚集,大尺寸的氧沉淀则倾向于在体内和背面形成,洁净区的厚度则减小直至无洁净区建立。多晶硅薄膜通过对硅片施加应力引起硅片形变,从而影响氧沉淀硅片体内形成的位置,起到促进内吸杂的作用。最佳多晶硅沉积厚度为800 nm。
- 黄栋栋曲翔刘大力周旗钢刘斌刘红艳
- 关键词：氧沉淀
- HF／O_3在300mm硅片清洗中的应用被引量：12
- 2006年
- 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上,对新发展的HF／O3槽式清洗法和HF／O3 单片清洗法进行了详细的说明,从而对300mm硅片清洗方法的未来发展方向进行了简单论述。
- 闫志瑞李俊峰刘红艳张静李莉
- 关键词：硅片RCA清洗
- 大尺寸硅片边缘抛光技术被引量：1
- 2016年
- 重掺衬底硅片在经历高温外延加工过程中,硅片边缘的损伤会在硅片的外延层上形成位错缺陷。对边缘初始状态一致的直径为200 mm硅单晶片进行酸腐蚀、机械抛光、化学机械抛光及机械抛光加化学机械抛光等不同条件下的边缘抛光实验,使用显微镜观察抛光片的边缘形貌,使用三维光学表面分析仪对抛光片的表面粗糙度进行测量,之后对抛光后的样品进行外延加工,对比经过不同加工方式的抛光后硅片边缘损伤的残留程度。结果表明,酸腐蚀能够去除硅片边缘绝大部分的损伤,机械抛光会重新带入机械损伤,机械抛光后再进行化学机械抛光能彻底消除硅片边缘的损伤层,但相对成本较高。化学机械抛光也能够彻底去除硅片边缘的损伤层,是大尺寸衬底硅片边缘抛光的最优加工工艺。
- 李耀东库黎明刘斌王新郑琪刘红艳
- 关键词：硅片机械抛光
