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陈洪雷

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇文化科学

主题

  • 11篇介质层
  • 8篇掺杂
  • 6篇氧化层
  • 6篇半导体
  • 6篇BCD工艺
  • 5篇电阻
  • 4篇外延层
  • 4篇离子
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶体
  • 3篇电极
  • 3篇晶体
  • 3篇晶体管
  • 3篇晶体管结构
  • 3篇基底
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电阻值
  • 2篇掩模
  • 2篇漂移区

机构

  • 16篇杭州士兰集成...
  • 1篇杭州士兰集昕...

作者

  • 16篇陈洪雷
  • 5篇王昊
  • 4篇苏兰娟
  • 3篇夏志平
  • 1篇向璐

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2015
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体结构及其制造方法、集成电路及其制造方法
公开了一种半导体结构及其制造方法、集成电路及其制造方法，半导体结构包括：衬底，衬底具有第一掺杂类型；位于衬底上的外延层，外延层具有第二掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；位于外延层中的基区、发射区以及集电区，其中，...
孙样慧陈洪雷吴晶田浩洋方长城
BCD工艺中的高压MOS晶体管结构及其制造方法
本发明提供了一种BCD工艺中的高压MOS晶体管结构及其制造方法，所述BCD工艺中的高压MOS晶体管结构包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的埋层，位于半导体衬底中；第二掺杂类型的半导体层，覆盖所述半导体衬底和埋层...
闻永祥岳志恒孙样慧陈洪雷
文献传递
0.8μm高压BCD电路漏电失效改善
2018年
0.8μm高压BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)电路存在漏电失效,其失效原因是IMD(InterMetal Dielectric)平坦化不良,造成金属2残留短路。通过SOG(spin-on-glass)二次平坦化工艺,大幅改善了IMD的平坦化效果,将平坦化因子由0.35提升到0.90,杜绝了金属2残留,较好地解决了漏电问题,提高了电路成品率。
向璐陈洪雷苏兰娟
关键词：BCD平坦化
平面功率器件
本实用新型公开了一种平面功率器件。根据本实用新型的平面功率器件包括衬底；漂移区，位于所述衬底上；刻蚀阻挡区，位于所述漂移区上；以及接触场板，位于所述刻蚀阻挡区上，所述接触场板贯穿部分所述刻蚀阻挡区，其中，所述刻蚀阻挡区包...
夏志平叶青青陈洪雷赵志涌朱晓彤
文献传递
BCD工艺中的双向高压MOS管
本实用新型提供了一种BCD工艺中的双向高压MOS管，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底中具有第一掺杂类型的埋层；形成于埋层上的外延层；形成于外延层中具有第一掺杂类型的第一阱区；分别形成于第一阱区两侧的外延层中具有第二掺杂...
闻永祥岳志恒陈洪雷
文献传递
半导体器件
本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；栅叠层，位于所述衬底上方；停止层，共形地覆盖所述栅叠层；位于所述半导体衬底中的轻掺杂漏区、源漏区，其中，所述轻掺杂漏区位于所述栅叠层和所述漏区之间，并且所述轻掺杂漏区的...
王昊陈洪雷闻永祥
文献传递
平面功率器件及其制造方法
本发明公开了一种平面功率器件及其制造方法。根据本发明的平面功率器件包括衬底；漂移区，位于所述衬底上；刻蚀阻挡区，位于所述漂移区上；以及接触场板，位于所述刻蚀阻挡区上，所述接触场板贯穿部分所述刻蚀阻挡区，其中，所述刻蚀阻挡...
夏志平叶青青陈洪雷赵志涌朱晓彤
文献传递
BCD工艺中的双向高压MOS管及其制造方法
本发明提供了一种BCD工艺中的双向高压MOS管及其制造方法，所述MOS管结构包括：半导体衬底；形成于半导体衬底中具有第一掺杂类型的埋层；形成于埋层上的外延层；形成于外延层中具有第一掺杂类型的第一阱区；分别形成于第一阱区两...
闻永祥岳志恒陈洪雷
文献传递
半导体电阻结构及其形成方法
本发明提供了一种半导体电阻结构及其形成方法，所述结构包括：基底；第一掺杂类型的阱区，形成在所述基底内；栅介质层，至少部分位于所述阱区上；栅极，至少部分位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的电阻体，形成在所述阱区内，所述电阻体...
陈洪雷闻永祥王昊苏兰娟
文献传递
BCD工艺中的高压MOS晶体管结构及其制造方法
本发明提供了一种BCD工艺中的高压MOS晶体管结构及其制造方法，所述BCD工艺中的高压MOS晶体管结构包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的埋层，位于半导体衬底中；第二掺杂类型的半导体层，覆盖所述半导体衬底和埋层...
闻永祥岳志恒孙样慧陈洪雷
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