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向璐

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 9篇功率器件
  • 9篇沟槽
  • 9篇光刻
  • 6篇套刻
  • 6篇接触孔
  • 6篇光刻设备
  • 5篇半导体
  • 5篇侧墙
  • 3篇阻挡层
  • 3篇线宽
  • 3篇静电
  • 3篇光刻胶
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电阻
  • 2篇形貌
  • 2篇掩蔽层
  • 2篇退火
  • 2篇退火工艺
  • 2篇裂缝

机构

  • 15篇杭州士兰集成...

作者

  • 15篇向璐
  • 14篇杨彦涛
  • 3篇曹俊
  • 3篇李志栓
  • 3篇李立文
  • 3篇王平
  • 3篇王珏
  • 3篇赵金波
  • 3篇陈琛
  • 3篇赵学锋
  • 2篇袁媛
  • 2篇余龙
  • 2篇刘翔宇
  • 2篇邵凯
  • 1篇苏兰娟
  • 1篇陈洪雷

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再进行接触孔刻蚀时，可以使接触孔的线...
杨彦涛向璐赵金波赵学锋李立文
文献传递
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽，并将第一阻止层、填充材料层设置于所述第一沟槽中，并在第一沟槽的填充材料层中形成静电隔离结构，进而实现了静电隔...
杨彦涛向璐王珏曹俊吕焕秀
文献传递
半导体衬底及其减薄方法
本发明提供了一种半导体衬底及其减薄方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底侧壁具有多个圆弧段；在所述半导体衬底上形成器件结构；以及对所述半导体衬底的背面进行减薄，减薄后的半导体衬底的侧壁为圆弧形貌。具有圆弧形貌的半导...
杨彦涛向璐刘翔宇袁媛余龙
0.8μm高压BCD电路漏电失效改善
2018年
0.8μm高压BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)电路存在漏电失效,其失效原因是IMD(InterMetal Dielectric)平坦化不良,造成金属2残留短路。通过SOG(spin-on-glass)二次平坦化工艺,大幅改善了IMD的平坦化效果,将平坦化因子由0.35提升到0.90,杜绝了金属2残留,较好地解决了漏电问题,提高了电路成品率。
向璐陈洪雷苏兰娟
关键词：BCD平坦化
功率半导体器件
本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽；位于多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层；至少一部分位于多个沟槽中的屏蔽导体；在多个沟槽上部中位于屏蔽导体两侧的栅极导体；与源区和屏蔽导体电连接的...
杨彦涛向璐陈琛吕焕秀
文献传递
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过将沟槽中的所述栅极材料层具有高于第二阻止层的一部分并将这一部分氧化产生第二氧化层，且所述第二氧化层覆盖部分第二阻止层，再通过形成侧墙，从...
杨彦涛王平向璐李志栓吕焕秀
文献传递
平面栅功率器件结构
本实用新型提供了一种平面栅功率器件结构，在栅极材料层侧壁形成侧墙，减小栅源失效的风险。另外，通过光刻和刻蚀工艺在第二窗口中形成第三窗口后，先进行P型区注入以及退火工艺形成P型区，再刻蚀所述第三窗口侧壁的掩蔽层，即使掩蔽层...
杨彦涛邵凯向璐陈琛吕焕秀
文献传递
沟槽功率器件
本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过将沟槽中的所述栅极材料层具有高于第二阻止层的一部分并将这一部分氧化产生第二氧化层，且所述第二氧化层覆盖部分第二阻止层，再通过形成侧墙，从而使整个槽栅...
杨彦涛王平向璐李志栓吕焕秀
文献传递
沟槽功率器件
本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再进行接触孔刻蚀时，可以使接触孔的线宽进一步做的...
杨彦涛向璐赵金波赵学锋李立文
平面栅功率器件结构及其形成方法
本发明提供了一种平面栅功率器件结构及其形成方法，在栅极材料层侧壁形成侧墙，减小栅源失效的风险。另外，通过光刻和刻蚀工艺在第二窗口中形成第三窗口后，先进行P型区注入以及退火工艺形成P型区，再刻蚀所述第三窗口侧壁的掩蔽层，即...
杨彦涛邵凯向璐陈琛吕焕秀
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