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王昊

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 2篇文化科学

主题

  • 5篇半导体
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶体
  • 3篇电阻
  • 3篇介质层
  • 3篇晶体
  • 3篇基底
  • 2篇电阻值
  • 2篇掩模
  • 2篇轻掺杂漏
  • 2篇阻值
  • 2篇抗蚀剂
  • 2篇光致
  • 2篇光致抗蚀剂
  • 2篇半导体器件
  • 2篇掺杂
  • 1篇牺牲
  • 1篇牺牲层
  • 1篇离子
  • 1篇可调

机构

  • 5篇杭州士兰集成...

作者

  • 5篇陈洪雷
  • 5篇王昊
  • 3篇苏兰娟

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
半导体器件
本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；栅叠层，位于所述衬底上方；停止层，共形地覆盖所述栅叠层；位于所述半导体衬底中的轻掺杂漏区、源漏区，其中，所述轻掺杂漏区位于所述栅叠层和所述漏区之间，并且所述轻掺杂漏区的...
王昊陈洪雷闻永祥
文献传递
半导体电阻结构及其形成方法
本发明提供了一种半导体电阻结构及其形成方法，所述结构包括：基底；第一掺杂类型的阱区，形成在所述基底内；栅介质层，至少部分位于所述阱区上；栅极，至少部分位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的电阻体，形成在所述阱区内，所述电阻体...
陈洪雷闻永祥王昊苏兰娟
文献传递
半导体电阻结构及其形成方法
本发明提供了一种半导体电阻结构及其形成方法，所述结构包括：基底；第一掺杂类型的阱区，形成在所述基底内；栅介质层，至少部分位于所述阱区上；栅极，至少部分位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的电阻体，形成在所述阱区内，所述电阻体...
陈洪雷闻永祥王昊苏兰娟
半导体电阻结构
本实用新型提供了一种半导体电阻结构，所述结构包括：基底；第一掺杂类型的阱区，形成在所述基底内；栅介质层，至少部分位于所述阱区上；栅极，至少部分位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的电阻体，形成在所述阱区内，所述电阻体的至少一...
陈洪雷闻永祥王昊苏兰娟
半导体器件及其制造方法
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上形成栅叠层；在所述栅叠层上形成停止层，所述停止层共形地覆盖所述栅叠层；在所述停止层上形成牺牲层；将所述牺牲层图案化，使得所述牺牲层在所述栅叠层侧壁的部分保留...
王昊陈洪雷闻永祥
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