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苏兰娟

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇文化科学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇介质层
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶体
  • 3篇电阻
  • 3篇氧化层
  • 3篇图形数据
  • 3篇外延层
  • 3篇温度测试
  • 3篇温度偏差
  • 3篇晶体
  • 3篇基底
  • 3篇光刻
  • 3篇半导体
  • 3篇报废率
  • 2篇电阻值
  • 2篇生长介质
  • 2篇阻值
  • 2篇离子注入
  • 2篇口形
  • 2篇光刻胶

机构

  • 10篇杭州士兰集成...

作者

  • 10篇苏兰娟
  • 6篇杨彦涛
  • 4篇陈洪雷
  • 3篇蒋敏
  • 3篇王平
  • 3篇何金祥
  • 3篇李小锋
  • 3篇王昊
  • 1篇向璐

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种外延标记
本实用新型提供一种外延标记，包括：衬底；埋层光刻标记，形成在衬底上；第一消耗层，以埋层光刻标记为边界形成在衬底中；埋层氧化层，形成在第一消耗层上；第二消耗层，以埋层光刻标记为边界形成在衬底中且包围第一消耗层，其中，第一消...
杨彦涛王平苏兰娟钟荣祥袁志松
文献传递
外延温度测试监控结构及形成方法
本发明提供的外延温度测试监控结构及形成方法，方法包括：在衬底上生长介质层；在介质层中形成包括具有大小相等、第一间距一定的第一开口的监控结构窗口；消耗掉暴露出的部分衬底后生长出氧化层，去除介质层和氧化层，形成具有大小相等、...
杨彦涛蒋敏何金祥李小锋王柁华苏兰娟
文献传递
一种外延标记及其相应的制作方法
本发明提供一种外延标记制作方法，包括：在衬底上依次生长第一氧化层和第一光刻胶，在第一光刻胶中形成埋层窗口和埋层光刻标记；去除埋层窗口中的第一氧化层，在衬底上形成埋层区域并进行离子注入；去除第一光刻胶并进行退火，在埋层区域...
杨彦涛王平苏兰娟钟荣祥袁志松
文献传递
半导体电阻结构及其形成方法
本发明提供了一种半导体电阻结构及其形成方法，所述结构包括：基底；第一掺杂类型的阱区，形成在所述基底内；栅介质层，至少部分位于所述阱区上；栅极，至少部分位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的电阻体，形成在所述阱区内，所述电阻体...
陈洪雷闻永祥王昊苏兰娟
文献传递
外延温度测试监控结构及形成方法
本发明提供的外延温度测试监控结构及形成方法，方法包括：在衬底上生长介质层；在介质层中形成包括具有大小相等、第一间距一定的第一开口的监控结构窗口；消耗掉暴露出的部分衬底后生长出氧化层，去除介质层和氧化层，形成具有大小相等、...
杨彦涛蒋敏何金祥李小锋王柁华苏兰娟
文献传递
外延温度测试监控结构
本实用新型提供的外延温度测试监控结构，包括:一半导体衬底；监控窗口，由所述半导体衬底的表面形成，所述监控窗口具有特征尺寸大小分别相等的第二开口和用于间隔所述第二开口的第二间距区，所述第二间距区与所述第二开口的表面具有台阶...
杨彦涛蒋敏何金祥李小锋王柁华苏兰娟
文献传递
一种外延标记及其相应的制作方法
本发明提供一种外延标记制作方法，包括：在衬底上依次生长第一氧化层和第一光刻胶，在第一光刻胶中形成埋层窗口和埋层光刻标记；去除埋层窗口中的第一氧化层，在衬底上形成埋层区域并进行离子注入；去除第一光刻胶并进行退火，在埋层区域...
杨彦涛王平苏兰娟钟荣祥袁志松
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0.8μm高压BCD电路漏电失效改善
2018年
0.8μm高压BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)电路存在漏电失效,其失效原因是IMD(InterMetal Dielectric)平坦化不良,造成金属2残留短路。通过SOG(spin-on-glass)二次平坦化工艺,大幅改善了IMD的平坦化效果,将平坦化因子由0.35提升到0.90,杜绝了金属2残留,较好地解决了漏电问题,提高了电路成品率。
向璐陈洪雷苏兰娟
关键词：BCD平坦化
半导体电阻结构及其形成方法
本发明提供了一种半导体电阻结构及其形成方法，所述结构包括：基底；第一掺杂类型的阱区，形成在所述基底内；栅介质层，至少部分位于所述阱区上；栅极，至少部分位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的电阻体，形成在所述阱区内，所述电阻体...
陈洪雷闻永祥王昊苏兰娟
半导体电阻结构
本实用新型提供了一种半导体电阻结构，所述结构包括：基底；第一掺杂类型的阱区，形成在所述基底内；栅介质层，至少部分位于所述阱区上；栅极，至少部分位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的电阻体，形成在所述阱区内，所述电阻体的至少一...
陈洪雷闻永祥王昊苏兰娟
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