冯荣杰
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
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- 布线结构的形成方法
- 本发明提供了一种布线结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，在其上形成第一介质层；在第一介质层上形成接触孔；沉积第一金属层，覆盖接触孔的底部和侧壁并覆盖第一介质层的上表面；对第一金属层进行刻蚀湿法刻蚀、然后再进行干法刻蚀，...
- 杨彦涛李小锋冯荣杰罗宁
- 低温氧化技术优化双极器件结构及工艺的研究
- 2021年
- 双极集成电路需要在不影响器件特性的前提下通过缩小基区面积提高电路密度。利用LTO淀积SiO_(2)薄膜替代热氧化SiO_(2)薄膜,用LTO较低淀积温度进行发射区退火替代氧化退火工艺,双极器件的基区和发射区消除了"分凝"和"鸟嘴"现象,具有自然扩散的形貌特征,缩小了基区面积,优化了器件结构,可以有效提高器件集成密度。在基区和发射区工艺控制方面,LTO工艺减少了高温工序,有效节约能源和掺杂材料消耗;该工艺流程比较简短紧凑,有利于实现工艺标准化,减少由于不确定工艺因素造成产品的质量波动。
- 范伟宏闫建新冯荣杰韩建
- 关键词：双极器件发射区结构优化
- 布线结构的形成方法
- 本发明提供了一种布线结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，在其上形成第一介质层；在第一介质层上形成接触孔；沉积第一金属层，覆盖接触孔的底部和侧壁并覆盖第一介质层的上表面；对第一金属层进行刻蚀湿法刻蚀、然后再进行干法刻蚀，...
- 杨彦涛李小锋冯荣杰罗宁
- 文献传递
- 布线结构
- 本实用新型提供了一种布线结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一介质层；形成于所述第一介质层上的接触孔；第一金属层，所述第一金属层覆盖所述接触孔的底部和侧壁，并覆盖所述第一介质层的上表面；形成于所述第一金属层上...
- 杨彦涛李小锋冯荣杰罗宁
- 文献传递
