范伟宏
- 作品数：20 被引量：3H指数：1
- 供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 功率器件IGBT槽栅设计尺寸对直流参数影响的研究被引量：1
- 2013年
- IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一。本文首先简要介绍IGBT及历代器件工艺的发展,提出了一种槽栅IGBT的工艺流程,并研究了其槽栅设计尺寸对器件主要直流参数的影响。
- 闻永祥范伟宏顾悦吉刘琛刘慧勇
- 关键词：绝缘栅晶体管直流参数
- P型硅衬底背面金属化的制作方法
- 本发明提供的P型硅衬底背面金属化的制作方法包括如下步骤：(1)在芯片减薄后，在背面蒸发一层Al薄层；(2)在Al薄层上依次蒸发金属Ni和金属Ag；(3)进行一次350℃～450℃的温度处理，使铝薄层与硅形成铝硅合金的同时...
- 王英杰韩非孔建峰王平范伟宏
- 文献传递
- 单芯片三轴各向异性磁阻传感器及其制造方法
- 本发明提供了一种单芯片三轴各向异性磁阻传感器及其制造方法，该传感器包括：基底，其表面位于X方向和Y方向确定的平面内，基底的表面具有内凹的沟槽；磁通量集中器，位于沟槽的侧壁上；第一介质层，填充沟槽并覆盖磁通量集中器以及基底...
- 闻永祥范伟宏王平刘琛季锋邹光祎
- 文献传递
- MEMS铝锗键合结构及其制造方法
- 本发明提供了一种MEMS铝锗键合结构及其制造方法，该结构包括：器件硅片，该器件硅片上具有微机械结构区和铝键合层；封帽硅片，该封帽硅片上具有锗键合层，该锗键合层与所述铝键合层键合；其中，所述封帽硅片上还具有自所述封帽硅片伸...
- 闻永祥范伟宏王平刘琛
- 文献传递
- 用于MEMS工艺中的深槽制造方法
- 本发明提供的用于MEMS工艺中的深槽制造方法，通过在一用于MEMS封帽的硅衬底的正面上依次形成一缓冲层和一掩蔽层，在硅衬底的背面形成一接触层；对掩蔽层进行刻蚀，形成暴露出缓冲层的腐蚀窗口；第一酸性溶液去除暴露出的缓冲层，...
- 季锋范伟宏闻永祥刘琛饶晓俊
- 文献传递
- 一种深紫外LED芯片的测试系统及测试方法
- 本发明公开了一种深紫外LED芯片的测试系统及测试方法，其中，测试系统包括积分球和承载LED芯片的且能够透光的载盘，在所述积分球上开设有测试开孔，所述载盘布置于所述积分球的腔体内部且所述载盘的承载表面朝向所述测试开孔布置。...
- 范伟宏毕京锋郭茂峰陶胜徐军波石俊
- 低温氧化技术优化双极器件结构及工艺的研究
- 2021年
- 双极集成电路需要在不影响器件特性的前提下通过缩小基区面积提高电路密度。利用LTO淀积SiO_(2)薄膜替代热氧化SiO_(2)薄膜,用LTO较低淀积温度进行发射区退火替代氧化退火工艺,双极器件的基区和发射区消除了"分凝"和"鸟嘴"现象,具有自然扩散的形貌特征,缩小了基区面积,优化了器件结构,可以有效提高器件集成密度。在基区和发射区工艺控制方面,LTO工艺减少了高温工序,有效节约能源和掺杂材料消耗;该工艺流程比较简短紧凑,有利于实现工艺标准化,减少由于不确定工艺因素造成产品的质量波动。
- 范伟宏闫建新冯荣杰韩建
- 关键词：双极器件发射区结构优化
- 单芯片三轴各向异性磁阻传感器
- 本实用新型提供了一种单芯片三轴各向异性磁阻传感器，该传感器包括：基底，其表面位于X方向和Y方向确定的平面内，基底的表面具有内凹的沟槽；磁通量集中器，位于沟槽的侧壁上；第一介质层，填充沟槽并覆盖磁通量集中器以及基底的表面；...
- 闻永祥范伟宏王平刘琛季锋邹光祎
- 文献传递
- 影响IGBT器件短路能力的一种栅极振荡现象研究被引量：1
- 2013年
- 功率器件IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一。本文首先介绍了IGBT的短路特性及测试方法和条件,分析了栅极异常振荡对IGBT的短路电流的影响,提出了改善IGBT器件短路能力的方法。
- 闻永祥范伟宏顾悦吉刘琛刘慧勇
- 关键词：绝缘栅晶体管
- 电容式压力传感器和惯性传感器集成器件
- 本实用新型提供了一种电容式压力传感器和惯性传感器集成器件，该器件包括：半导体衬底；覆盖该半导体衬底的外延层，该外延层下方的压力传感器区域内的半导体衬底中具有空腔；位于外延层上的第一介质层；位于第一介质层上的第一导电层；位...
- 季锋范伟宏闻永祥刘琛饶晓俊
- 文献传递
