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李小锋

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 9篇外延层
  • 9篇发射区
  • 9篇BIPOLA...
  • 7篇氮化硅
  • 7篇氮化硅薄膜
  • 7篇双极
  • 7篇硅薄膜
  • 6篇电路
  • 6篇晶体管
  • 6篇互连
  • 6篇互连线
  • 6篇高压器件
  • 6篇隔离区
  • 6篇感应电
  • 6篇感应电荷
  • 6篇掺杂
  • 6篇场区
  • 4篇氧化硅薄膜
  • 4篇介质层
  • 4篇刻蚀

机构

  • 28篇杭州士兰集成...
  • 6篇杭州士兰微电...

作者

  • 28篇李小锋
  • 11篇张佼佼
  • 11篇杨彦涛
  • 9篇何金祥
  • 6篇韩健
  • 6篇杨锐
  • 4篇陈元金
  • 3篇蒋敏
  • 3篇罗宁
  • 3篇肖金平
  • 3篇王铎
  • 3篇苏兰娟
  • 3篇冯荣杰
  • 2篇吕艳欣
  • 2篇刘琛
  • 2篇刘翔宇

传媒

  • 1篇科学技术创新

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 10篇2014
  • 3篇2013
  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
采用Bipolar低压工艺实现的器件及其制造方法
本发明提供一种采用Bipolar低压工艺实现的器件及其制造方法，通过在耐高压器件区域中形成轻掺杂区，轻掺杂区朝向所述集电区的一侧超出所述上隔离区一定宽度，地极引线朝向所述集电区的一侧超出所述轻掺杂区一定宽度，避免了器件在...
李小锋韩健张佼佼王铎
文献传递
双极NPN晶体管及其制造方法
本发明提供了一种双极NPN晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于第一层间介质层和电压调变介质层上的第一...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
文献传递
一种双极电路的制造方法
本发明提供一种双极电路的制造方法，包括在提供的半导体衬底上淀积第一介质层，半导体衬底的外延层中形成有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；将接触孔图形及电容窗口图形合并到同一掩膜版上进行刻蚀，在形成的各层次上的...
张佼佼李小锋杨彦涛肖金平王铎
文献传递
双极PNP晶体管及其制造方法
本发明提供了一种双极PNP晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
文献传递
Bipolar电路的多层复合钝化层结构及其生成工艺方法
本发明提供了Bipolar电路的多层复合钝化膜结构包括淀积在硅基底表面的底层氧化硅薄膜层和淀积在该氧化硅薄膜层上的氮化硅薄膜层，所述的氧化硅薄膜层中掺有一定比例的磷烷，氧化硅薄膜层依次为不掺杂的二氧化硅层、掺杂的磷硅玻璃...
刘琛李小锋吕艳欣陈元金
Bipolar低压工艺中耐高压器件及其制造方法
本发明提供一种Bipolar低压工艺中耐高压器件及其制造方法，通过在Bipolar低压工艺中耐高压器件中，在环绕所述集电区的上隔离区上形成掺杂浓度低的轻掺杂区，所述地极引线的宽度大于所述轻掺杂区的宽度，所述轻掺杂区朝向所...
李小锋韩健张佼佼王铎
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双极电路的一种引线孔结构及制造方法
双极电路的一种引线孔结构制造方法为：(1)在设有极区的硅基底上形成底层氧化硅薄膜层；(2)在底层氧化硅薄膜层上淀积形成顶层氧化硅薄膜层；(3)在顶层氧化硅薄膜层上淀积氮化硅薄膜层；(4)对氮化硅薄膜的预刻蚀区域进行光刻、...
李小锋陈元金杨彦涛张佼佼
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Bipolar电路的多层复合钝化层结构及其生成工艺方法
本发明提供了Bipolar电路的多层复合钝化膜结构包括淀积在硅基底表面的底层氧化硅薄膜层和淀积在该氧化硅薄膜层上的氮化硅薄膜层，所述的氧化硅薄膜层中掺有一定比例的磷烷，氧化硅薄膜层依次为不掺杂的二氧化硅层、掺杂的磷硅玻璃...
刘琛李小锋吕艳欣陈元金
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Bipolar低压工艺中耐高压器件及其制造方法
本发明提供一种Bipolar低压工艺中耐高压器件及其制造方法，通过在Bipolar低压工艺中耐高压器件中，在环绕所述集电区的上隔离区上形成掺杂浓度低的轻掺杂区，所述地极引线的宽度大于所述轻掺杂区的宽度，所述轻掺杂区朝向所...
李小锋韩健张佼佼王铎
双极PNP晶体管
本实用新型提供了一种双极PNP晶体管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变介质层上...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
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