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文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇淀积
  • 3篇乙硼烷
  • 3篇制程
  • 3篇硼烷
  • 3篇重复利用
  • 3篇接触孔
  • 3篇介质层
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体制程
  • 3篇保质期
  • 3篇布线
  • 3篇布线结构
  • 3篇掺硼
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇刻蚀
  • 2篇干法刻蚀
  • 1篇通孔

机构

  • 6篇杭州士兰集成...

作者

  • 6篇罗宁
  • 6篇杨彦涛
  • 3篇李志栓
  • 3篇冯荣杰
  • 3篇李小锋
  • 3篇孙健

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
乙硼烷质量检测结构及检测方法
本发明提供了一种乙硼烷质量检测结构及检测方法,在介质层上淀积BPSG并回流,再检测BPSG中是否存在缺陷进而判断B<Sub>2</Sub>H<Sub>6</Sub>质量,可用于对B<Sub>2</Sub>H<Sub>6<...
李志栓杨彦涛孙健罗宁
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乙硼烷质量检测结构及检测方法
本发明提供了一种乙硼烷质量检测结构及检测方法,在介质层上淀积BPSG并回流,再检测BPSG中是否存在缺陷进而判断B<Sub>2</Sub>H<Sub>6</Sub>质量,可用于对B<Sub>2</Sub>H<Sub>6<...
李志栓杨彦涛孙健罗宁
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布线结构的形成方法
本发明提供了一种布线结构的形成方法,包括:提供半导体衬底,在其上形成第一介质层;在第一介质层上形成接触孔;沉积第一金属层,覆盖接触孔的底部和侧壁并覆盖第一介质层的上表面;对第一金属层进行刻蚀湿法刻蚀、然后再进行干法刻蚀,...
杨彦涛李小锋冯荣杰罗宁
乙硼烷质量检测结构
本实用新型提供了一种乙硼烷质量检测结构,包括:半导体衬底、介质层以及采用包含乙硼烷的材料形成并经过回流的掺硼的磷硅玻璃,所述介质层形成于半导体衬底上,所述掺硼的磷硅玻璃形成于介质层上。通过在介质层上淀积BPSG并回流,再...
李志栓杨彦涛孙健罗宁
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布线结构的形成方法
本发明提供了一种布线结构的形成方法,包括:提供半导体衬底,在其上形成第一介质层;在第一介质层上形成接触孔;沉积第一金属层,覆盖接触孔的底部和侧壁并覆盖第一介质层的上表面;对第一金属层进行刻蚀湿法刻蚀、然后再进行干法刻蚀,...
杨彦涛李小锋冯荣杰罗宁
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布线结构
本实用新型提供了一种布线结构,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上的第一介质层;形成于所述第一介质层上的接触孔;第一金属层,所述第一金属层覆盖所述接触孔的底部和侧壁,并覆盖所述第一介质层的上表面;形成于所述第一金属层上...
杨彦涛李小锋冯荣杰罗宁
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共1页<1>
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