李震
- 作品数：26 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学金属学及工艺更多>>
- 坩埚及分子束外延系统
- 本发明公开了一种坩埚及分子束外延系统。用于提升分子束外延系统束流均匀性的坩埚包括：坩埚本体，用于盛放原料，坩埚本体为一端敞开、另一端封闭的中空柱体；支撑结构，设于坩埚本体的敞开端，支撑结构用于将坩埚本体的敞开端的空间分割...
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- 一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法
- 本申请公开了一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法，包括：固定衬底；利用热偶控制外延表面温度，采用温度补偿生长方式，基于所述衬底生长碲镉汞材料，并进行As掺杂；在生长碲镉汞材料的过程中，确定不同深度As掺杂浓度的变化量...
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- 一种双色红外器件结构及红外探测器
- 本发明公开了一种双色红外器件结构及红外探测器，所述双色红外器件结构具有从下至上设置的第一衬底，材料为InSb，作为所述双色红外器件的基础层；过渡层，材料为InSb，作为缓冲层和下电极层；第一吸收层，材料为InSb，用以实...
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- 一种碲镉汞双色材料结构及其制备方法
- 本申请公开了一种碲镉汞双色材料结构及其制备方法，包括顺次设置的衬底、波段1p型吸收层、n型阻挡层和波段2p型吸收层；所述波段1p型吸收层Cd组分范围为0.26‑0.40；所述n型阻挡层Cd组分范围为0.3‑0.45；所述...
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- 一种热处理装置及方法
- 本发明公开了一种热处理装置及方法，包括，加热炉和反应釜；所述加热炉，具有与所述反应釜相匹配的第一腔体；所述反应釜，形状与所述腔体匹配，具有第一空间，所述第一空间内设置有汞源、支撑杆和样品支架；所述反应釜，设置有进气口和出...
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- 文献传递
- 分子束外延Si基碲镉汞材料的As掺杂研究
- 2025年
- 为了制备出可靠性高、掺杂浓度可控的高质量碲镉汞(HgCdTe)材料,需对As掺杂后的HgCdTe材料特性进行研究。报道了分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)硅基碲镉汞As掺杂技术。利用As裂解源作为As掺杂源,制备出高质量碲镉汞材料,其中As掺杂浓度可达到8×10^(18)cm^(-3)。研究发现,As掺杂对生长温度、As束流、材料组分等材料生长参数十分敏感,通过改进生长温度控制以及衬底加热方式可实现As浓度在材料横向和纵向的均匀分布。利用两步退火法开展As激活退火。当As浓度低于3×10^(17)cm^(-3)时,激活率趋于100%;随着As掺杂浓度的增加,激活率呈现下降趋势。
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- 关键词：分子束外延碲镉汞
- 一种用于碲锌镉基碲镉汞分子束外延的表面重构方法及装置
- 本申请公开了一种用于碲锌镉基碲镉汞分子束外延的表面重构方法，包括：对碲锌镉衬底进行湿化学处理，得到碲锌镉衬底样品；对置于分子束外延设备装样腔中的碲锌镉衬底样品加热处理，得到去除水气的第一衬底样品；对置于分子束外延设备生长...
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- 碲镉汞雪崩光电探测器的发展与展望
- 2025年
- 通过对现有的几类主流碲镉汞(HgCdTe)雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)器件进行梳理,简要总结了目前国际上主流的APD器件发展路线,并分析了包括PIN、高密度垂直集成光电二极管(High-Density Vertically Integrated Photodiode,HDVIP)和吸收--倍增分离(Separated Absorption and Multiplication,SAM)型器件在内的主要APD器件的结构与性能特点。通过对比不同技术路线的器件优化思路和性能特点,对相关器件的持续发展进行了展望。目前SAM型器件是主流APD器件中暗电流抑制和高温工作性能最好的结构,能够实现高增益条件下的高灵敏度探测。这也为相关器件工艺的发展开辟了新方向。
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- 关键词：碲镉汞雪崩增益噪声
- 基于高低温循环退火方法的硅基碲镉汞位错抑制研究
- 2025年
- 高低温循环退火是降低碲镉汞(HgCdTe)材料位错密度的有效策略之一,被广泛用于提升HgCdTe质量。使用离位的高低温循环退火工艺对硅基HgCdTe材料进行热处理,并通过设计正交试验研究退火条件对HgCdTe材料的影响。在温度区间250~450℃、升温时间5 min、循环12次的条件下获得最佳退火效果。采用统计位错密度的方法对比退火前后HgCdTe材料的位错变化。与未退火的HgCdTe相比,退火后的HgCdTe位错密度降低了80%左右,为1×10^(6)~2×10^(6)cm^(-2)。X射线摇摆曲线测试结果表明,退火后硅基HgCdTe的半峰宽可降至75~80 arcsec。本研究综合提升了硅基HgCdTe的质量,为焦平面器件的研发提供了高质量的材料基础。
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- 关键词：位错密度
- 分子束外延用衬底粘接方法
- 本发明公开了一种分子束外延用衬底粘接方法，所述方法包括：将钼托放置在第一夹具上，并在钼托上依次层叠放置铟片、衬底、第二夹具；将组合后的第一夹具、钼托、铟片、衬底和第二夹具放置于真空烘烤箱内，并在第一时间段内抽真空，在第二...
- 高达王经纬王丛李震刘铭周立庆
- 文献传递
