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高达

作品数：37 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 13篇衬底
  • 11篇碲镉汞
  • 11篇分子束
  • 10篇硅基
  • 10篇分子束外延
  • 5篇碲镉汞材料
  • 5篇面阵
  • 5篇红外
  • 5篇复合衬底
  • 4篇束流
  • 4篇碲化镉
  • 3篇退火
  • 3篇阻挡层
  • 3篇碲锌镉
  • 3篇碲镉汞薄膜
  • 3篇焦平面
  • 3篇工装
  • 3篇硅片
  • 3篇红外焦平面
  • 3篇高温退火

机构

  • 37篇中国电子科技...

作者

  • 37篇高达
  • 32篇王丛
  • 21篇王经纬
  • 19篇刘铭
  • 13篇李震
  • 11篇周立庆
  • 6篇折伟林
  • 4篇周朋
  • 4篇吴亮亮
  • 3篇刘兴新
  • 3篇宁提
  • 3篇强宇
  • 2篇许秀娟
  • 2篇谭振
  • 2篇邢伟荣
  • 1篇孙浩
  • 1篇巩锋
  • 1篇钟国舜

传媒

  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2025
  • 1篇2024
  • 5篇2023
  • 6篇2022
  • 5篇2021
  • 6篇2020
  • 4篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种加热罩及温控系统
本实用新型公开了一种加热罩及温控系统，涉及温度控制技术领域。该加热罩，包括：加热罩本体、加热部、以及一个或多个温度检测部；加热罩本体为一体化设计，包括：导热层、保温层和隔热层，导热层、保温层及隔热层由内到外依次紧密叠合；...
吴亮亮钟国舜高达王丛王经纬刘铭周立庆
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大尺寸碲镉汞材料研究现状与趋势被引量：4
2022年
随着大面阵红外探测器技术研究越来越深入,大尺寸红外探测器材料技术成为制约红外探测器技术发展的重要环节。本文介绍了Sofradir公司、Teledyne公司、Raytheon公司、AIM公司红外探测器材料研究的现状,从生长方式、衬底选择等方向分析大尺寸碲镉汞材料研究现状与趋势。
李燕兰高达李震王丹王丛谭振孙浩
关键词：碲镉汞大尺寸分子束外延液相外延
硅基衬底的加工方法
本发明提出了一种硅基衬底的加工方法，包括：获取硅片；对硅片进行化学处理，以在硅片表面形成氢钝化层；对硅片进行脱附工艺处理，以去除氢钝化层。根据本发明实施例的硅基衬底的加工方法，在对硅片进行化学处理后，在硅片的表面形成氢钝...
王丛高达王经纬刘铭刘兴新于小兵周立庆
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一种热处理装置及方法
本发明公开了一种热处理装置及方法，包括，加热炉和反应釜；所述加热炉，具有与所述反应釜相匹配的第一腔体；所述反应釜，形状与所述腔体匹配，具有第一空间，所述第一空间内设置有汞源、支撑杆和样品支架；所述反应釜，设置有进气口和出...
王丹高达李震王丛
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外延层厚度测试工装及其测试外延层厚度的方法
本发明公开了一种外延层厚度测试工装及其测试外延层厚度的方法。外延层厚度测试工装，包括：底座，底座具有第一贯通通道；第一压片，第一压片适于嵌设于第一贯通通道，第一压片远离底座的一侧设有间隔设置的背景片槽和半径为R1的第一圆...
申晨李乾王丛折伟林高达韩岗
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一种碲锌镉衬底载具组件
本发明公开了一种碲锌镉衬底载具组件，包括底托1和盖板23；底托1上设置有第一凹槽14，第一凹槽14的形状与盖板23的形状相匹配；底托1上还设置有多个第二凹槽11和一个第三凹槽12，各第二凹槽11的与待放入其中的碲锌镉衬底...
李震高达
用于分子束外延设备的料渣收集装置
本发明公开了一种用于分子束外延设备的料渣收集装置，料渣收集装置连接于分子束外延设备的挡板，料渣收集装置包括：导流槽和收集器，与挡板相连接，导流槽接收挡板流出的液态残渣；收集器与导流槽相连接，收集器收集导流槽接收的液态残渣...
王丛高达周朋李震
一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法
本发明公开了一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法，本发明在硅基碲化镉的最后阶段，即硅基碲化镉经过高温退火之后，增加一个工艺流程生长预设厚度的碲化镉层，且不经退火，实验证明，该方法能够使得碲化镉表面粗糙度减小至1nm以下，从而...
高达王丛王经纬刘铭宁提
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一种碲镉汞薄膜组分的测试方法
本发明提供了一种碲镉汞薄膜组分的测试方法，包括：将待处理的碲镉汞薄膜固定在样品台上，并将样品台放入红外光谱仪的样品腔室中；对样品腔室和红外光谱仪分别抽真空，再将样品腔室温度降至预定温度；启动红外光谱仪，按照预定调节范围调...
许秀娟高达折伟林王经纬
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硅基缓冲层及其制备方法
本发明公开了一种硅基缓冲层及其制备方法。硅基缓冲层的制备方法，包括：获得原子级别洁净的的Si片；依次打开As束流源、Te束流源，对Si片的正面进行钝化；交替打开Zn束流源和Te束流源，在钝化后的Si片的正面外延ZnTe缓...
王丛刘铭高达周立庆
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