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周朋

作品数：36 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 5篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 13篇探测器
  • 13篇红外
  • 9篇晶格
  • 9篇红外探测
  • 9篇超晶格
  • 8篇红外探测器
  • 7篇势垒
  • 7篇势垒层
  • 7篇束流
  • 6篇衬底
  • 5篇碲镉汞
  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 5篇暗电流
  • 5篇锑
  • 5篇超晶格材料
  • 4篇探测器材料
  • 4篇碲镉汞材料
  • 4篇红外探测器材...
  • 4篇发光

机构

  • 36篇中国电子科技...

作者

  • 36篇周朋
  • 25篇刘铭
  • 19篇邢伟荣
  • 10篇尚林涛
  • 5篇李震
  • 5篇周立庆
  • 4篇高达
  • 3篇王丛
  • 3篇王经纬
  • 2篇喻松林
  • 2篇郭喜
  • 2篇巩锋
  • 2篇折伟林
  • 2篇晋舜国
  • 1篇程鹏
  • 1篇王鑫
  • 1篇宁提
  • 1篇强宇
  • 1篇孙浩
  • 1篇李海燕

传媒

  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2025
  • 4篇2024
  • 4篇2023
  • 8篇2022
  • 5篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2014
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种红外探测器材料及其制备方法
本发明提供一种红外探测器材料及其制备方法，用以解决现有技术中降低锑化铟材料暗电流较为困难的问题。该方法包括：根据响应波长的范围，设定铟铝锑层中铝组分的参数、厚度、异质结的排布的参数；制作锑化铟衬底；根据设定的参数生长锑化...
刘铭程鹏周朋尚林涛邢伟荣
文献传递
一种高温工作的红外探测器材料及其制备方法
本发明提供了一种高温工作的红外探测器材料及其制备方法，方法包括：处理锑化镓衬底，在处理后的锑化镓衬底上依次生长锑化镓缓冲层、铟砷锑刻蚀阻挡层、p型电极接触层、p型掺杂的中波吸收层、势垒层、n型电极接势垒层，势垒层按第一预...
邢伟荣刘铭郭喜周朋
文献传递
一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法
本申请公开了一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法，包括：固定衬底；利用热偶控制外延表面温度，采用温度补偿生长方式，基于所述衬底生长碲镉汞材料，并进行As掺杂；在生长碲镉汞材料的过程中，确定不同深度As掺杂浓度的变化量...
高达王丹李震周朋王丛
一种InAs/GaSb超晶格生长方法
本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格生长方法，包括：在Sb源提供的Sb束流保护下，基于GaSb衬底生长缓冲层；打开As源针阀至第一开度，将生长氛围从Sb束流保护转变为As束流保护，其中，所述第一开度大于所需的目标开度...
胡雨农周朋邢伟荣刘铭
双波段石墨烯探测装置、探测芯片及其制备方法
本发明公开了一种双波段石墨烯探测装置、探测芯片及其制备方法，双波段石墨烯探测芯片，包括：从下至上依次层叠设置的第一硅层、第一量子点增强的石墨烯层、第一环氧树脂胶层、第二硅层、第二量子点增强的石墨烯层、第二环氧树脂胶层；第...
周朋刘铭邢伟荣
一种中波双色红外探测器
本发明公开了一种中波双色红外探测器，包括：衬底，第一PIN型结构和第二PIN型结构；其中，所述第一PIN型结构生长在所述衬底上，所述第二PIN型结构与所述第一PIN型结构呈背靠背堆叠设置。本发明通过第二PIN型结构与第一...
尚林涛周朋
文献传递
用于分子束外延设备的料渣收集装置
本发明公开了一种用于分子束外延设备的料渣收集装置，料渣收集装置连接于分子束外延设备的挡板，料渣收集装置包括：导流槽和收集器，与挡板相连接，导流槽接收挡板流出的液态残渣；收集器与导流槽相连接，收集器收集导流槽接收的液态残渣...
王丛高达周朋李震
一种基于InAs的APD结构的制备方法
本发明公开了一种基于InAs的APD结构的制备方法，包括：以InAs衬底为基础，在所述InAs衬底上生长有掺杂的n<Sup>+</Sup>‑InAs层、有源层、掺杂的p‑InAs层以及掺杂的p<Sup>+</Sup>‑I...
邢伟荣刘铭周朋 胡雨农
文献传递
一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置
本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置，所述方法具体包括以下步骤：在InSb衬底上生长InAlSb薄膜，测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<Sub>InAlSb测量</...
周朋刘铭折伟林邢伟荣尚林涛
一种分子束外延超晶格材料生长速率的测试方法
本申请公开了一种分子束外延超晶格材料生长速率的测试方法，涉及半导体技术，本申请的方法是在GaSb衬底上测试GaSb材料生长速率后，进行AlSb材料生长速率的测试，接着生长单层InSb材料用于补偿晶格失配，最后测试InAs...
闫勇周朋 游聪娅刘铭
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