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邢伟荣

作品数：49 被引量：5H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 44篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 16篇探测器
  • 15篇红外
  • 14篇碲镉汞
  • 12篇红外探测
  • 12篇红外探测器
  • 10篇超晶格
  • 9篇暗电流
  • 8篇晶格
  • 8篇分子束
  • 7篇势垒
  • 7篇束流
  • 7篇探测器材料
  • 7篇红外探测器材...
  • 7篇分子束外延
  • 5篇势垒层
  • 5篇锑化铟
  • 5篇半导体
  • 5篇锑
  • 4篇碲镉汞薄膜
  • 4篇波段

机构

  • 49篇中国电子科技...

作者

  • 49篇邢伟荣
  • 29篇刘铭
  • 21篇折伟林
  • 19篇周朋
  • 12篇李震
  • 10篇尚林涛
  • 5篇王经纬
  • 5篇巩锋
  • 4篇程鹏
  • 4篇赵超
  • 3篇王丛
  • 3篇周立庆
  • 3篇李达
  • 2篇王鑫
  • 2篇郭喜
  • 2篇韦书领
  • 2篇李海燕
  • 2篇高达
  • 1篇喻松林
  • 1篇王成刚

传媒

  • 3篇红外
  • 2篇激光与红外

年份

  • 7篇2025
  • 8篇2024
  • 6篇2023
  • 9篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 49 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种红外探测器材料及其制备方法
本发明提供一种红外探测器材料及其制备方法，用以解决现有技术中降低锑化铟材料暗电流较为困难的问题。该方法包括：根据响应波长的范围，设定铟铝锑层中铝组分的参数、厚度、异质结的排布的参数；制作锑化铟衬底；根据设定的参数生长锑化...
刘铭程鹏周朋尚林涛邢伟荣
文献传递
双色红外探测器材料及其制备方法
本发明公开了一种双色红外探测器材料及其制备方法，包括：对锑化铟晶体进行预处理，所述锑化铟为InSb，得到外延级的InSb衬底；根据响应波长范围设定铟铝锑中的Al组分的参数，所述铟铝锑为InAlSb，并在外延级的InSb衬...
刘铭巩锋程鹏王经纬邢伟荣
文献传递
双波段石墨烯探测装置、探测芯片及其制备方法
本发明公开了一种双波段石墨烯探测装置、探测芯片及其制备方法，双波段石墨烯探测芯片，包括：从下至上依次层叠设置的第一硅层、第一量子点增强的石墨烯层、第一环氧树脂胶层、第二硅层、第二量子点增强的石墨烯层、第二环氧树脂胶层；第...
周朋刘铭邢伟荣
分子束外延Si基碲镉汞材料的As掺杂研究
2025年
为了制备出可靠性高、掺杂浓度可控的高质量碲镉汞(HgCdTe)材料,需对As掺杂后的HgCdTe材料特性进行研究。报道了分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)硅基碲镉汞As掺杂技术。利用As裂解源作为As掺杂源,制备出高质量碲镉汞材料,其中As掺杂浓度可达到8×10^(18)cm^(-3)。研究发现,As掺杂对生长温度、As束流、材料组分等材料生长参数十分敏感,通过改进生长温度控制以及衬底加热方式可实现As浓度在材料横向和纵向的均匀分布。利用两步退火法开展As激活退火。当As浓度低于3×10^(17)cm^(-3)时,激活率趋于100%;随着As掺杂浓度的增加,激活率呈现下降趋势。
王丹李震姜梦佳邢伟荣管崇尚
关键词：分子束外延碲镉汞
一种半峰宽自动化测试工装
本发明公开了一种半峰宽自动化测试工装，所述半峰宽自动化测试工装包括：光信号处理系统，用于基于样品生成测试信号，所述光信号处理系统中的样品台包括用于定位样品的定位结构；计算机处理系统，与光信号处理系统通信连接，用于接收测试...
李乾李达折伟林邢伟荣刘铭韦书领
文献传递
一种用于碲锌镉基碲镉汞分子束外延的表面重构方法及装置
本申请公开了一种用于碲锌镉基碲镉汞分子束外延的表面重构方法，包括：对碲锌镉衬底进行湿化学处理，得到碲锌镉衬底样品；对置于分子束外延设备装样腔中的碲锌镉衬底样品加热处理，得到去除水气的第一衬底样品；对置于分子束外延设备生长...
管崇尚邢伟荣周睿李震姜梦佳王丹胡雨农折伟林
一种分子束外延系统取片装置及方法
本发明提出了一种分子束外延系统取片装置及方法，该分子束外延系统取片装置包括Load Lock和用于为加载或卸载样品提供操作空间的内部取片盒，所述内部取片盒顶部可选择地进行密封，所述内部取片盒顶部设置有甩胶装置，所述Loa...
周睿李震王丹邢伟荣折伟林
一种碲镉汞材料生长载具
本申请公开了一种碲镉汞材料生长载具，包括：底托单元，设置有四个用于螺钉固定的通孔，结合卡片，用于卡住底板与衬底，并使用螺钉固定；所述卡片的位置设置有卡片凹槽，所述卡片凹槽上设置有通孔，用于放置卡片；底板单元，为直径小于底...
李震王丹管崇尚邢伟荣折伟林
一种基于InAs的APD结构的制备方法
本发明公开了一种基于InAs的APD结构的制备方法，包括：以InAs衬底为基础，在所述InAs衬底上生长有掺杂的n<Sup>+</Sup>‑InAs层、有源层、掺杂的p‑InAs层以及掺杂的p<Sup>+</Sup>‑I...
邢伟荣刘铭周朋 胡雨农
文献传递
一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置
本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置，所述方法具体包括以下步骤：在InSb衬底上生长InAlSb薄膜，测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<Sub>InAlSb测量</...
周朋刘铭折伟林邢伟荣尚林涛
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