肖文明
- 作品数：4 被引量：23H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省教育厅科学技术研究计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Mg-Al合金化学机械抛光中表面状态的研究被引量：2
- 2010年
- 化学机械抛光(CMP)可以获得高精度、低表面粗糙度和无损伤工件表面,并可实现全局平坦化。将CMP技术拓展到Mg-Al合金表面加工中,研究了Mg-Al合金化学机械抛光机理,分析了Mg-Al合金化学机械抛光中pH值、压力、流量、转速等参数对Mg-Al合金表面状态的影响。结果表明,当pH值为11.20,压力为0.06MPa,流量200mL/min,转速60r/min,用Olympus显微镜观察Mg-Al合金表面状态良好。这一结果为进一步采用化学机械抛光法加工Mg-Al合金奠定了基础。
- 张研刘玉岭牛新环梁蒲肖文明阎宝华
- 关键词：镁铝合金化学机械抛光
- 多晶Si太阳电池表面酸腐蚀制绒的研究被引量：12
- 2009年
- 研究了采用HF和HNO3非择优腐蚀多晶硅表面制备绒面的机理。通过实验分析了酸混合液的体积浓度配比、添加剂、温度和时间等因素对腐蚀速率和腐蚀后表面形貌的影响;总结出了多晶Si的酸腐蚀规律,得到了制备理想绒面的酸混合液体积配比(V(HF):V(HNO3):V(CH3COOH)=1∶12∶6)。在此基础上提出了优化设计方案:采用廉价的水代替醋酸作为缓蚀剂,腐蚀过程置于超声槽中进行,利用超声波的振动使反应生成的气泡快速脱离多晶Si片表面,同时使腐蚀液浓度分布更加均匀,从而制备出效果更佳的多晶Si绒面。
- 肖文明檀柏梅刘玉岭牛新环边征
- 关键词：多晶硅太阳电池酸腐蚀表面形貌腐蚀速率
- W-Mo合金CMP工艺参数的影响与优化研究
- 2010年
- 简述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金表面加工中,在实现W-Mo合金材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率。针对W-Mo合金的性质,选用碱性抛光液,并采用田口方法对抛光液pH值、抛光压力和抛光盘转速三个重要因素进行了优化设计,得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光参数。实验分析表明,当抛光液pH值为11,抛光压力为80 kPa,抛光盘转速60 r/min时,可以获得较高的去除速率。
- 边征王胜利刘玉岭肖文明
- 关键词：化学机械抛光田口方法去除速率
- 固体表面高精密平面化技术研究进展被引量：9
- 2009年
- 随着国内外市场的极大需求及激烈竞争,固体表面高精密加工质量要求日益提高.化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)技术几乎是迄今唯一的可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、宝石类衬底、金属材料、光学玻璃等表面的平整化.该文综述了在微电子制造过程中CMP技术的重要性及该技术的机理和研究现状,指出了CMP技术在目前发展过程中存在的亟待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.
- 刘玉岭牛新环檀柏梅肖文明
- 关键词：化学机械抛光微电子抛光液
