边征
- 作品数：3 被引量：12H指数：1
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省教育厅科学技术研究计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程金属学及工艺更多>>
- 多晶Si太阳电池表面酸腐蚀制绒的研究被引量：12
- 2009年
- 研究了采用HF和HNO3非择优腐蚀多晶硅表面制备绒面的机理。通过实验分析了酸混合液的体积浓度配比、添加剂、温度和时间等因素对腐蚀速率和腐蚀后表面形貌的影响;总结出了多晶Si的酸腐蚀规律,得到了制备理想绒面的酸混合液体积配比(V(HF):V(HNO3):V(CH3COOH)=1∶12∶6)。在此基础上提出了优化设计方案:采用廉价的水代替醋酸作为缓蚀剂,腐蚀过程置于超声槽中进行,利用超声波的振动使反应生成的气泡快速脱离多晶Si片表面,同时使腐蚀液浓度分布更加均匀,从而制备出效果更佳的多晶Si绒面。
- 肖文明檀柏梅刘玉岭牛新环边征
- 关键词：多晶硅太阳电池酸腐蚀表面形貌腐蚀速率
- W-Mo合金CMP工艺参数的影响与优化研究
- 2010年
- 简述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金表面加工中,在实现W-Mo合金材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率。针对W-Mo合金的性质,选用碱性抛光液,并采用田口方法对抛光液pH值、抛光压力和抛光盘转速三个重要因素进行了优化设计,得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光参数。实验分析表明,当抛光液pH值为11,抛光压力为80 kPa,抛光盘转速60 r/min时,可以获得较高的去除速率。
- 边征王胜利刘玉岭肖文明
- 关键词：化学机械抛光田口方法去除速率
- Al-Mg/W-Mo合金化学机械抛光技术研究
- 王胜利李振霞牛新环檀柏梅边征张研江炎孙业林
- Al-Mg/W-Mo等合金材料表面加工过去以单一机械切削或研磨抛光为主，加工精度较低，表面粗糙度只能达到微米级，成为制约进一步精密化发展的“瓶颈”之一。该项目将半导体制造中化学机械抛光(CMP)技术拓展到精密物理实验特定...
- 关键词：
- 关键词：化学机械抛光
