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梁蒲

作品数:3 被引量:5H指数:2
供职机构:河北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省教育厅科学技术研究计划国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇化学机械抛光
  • 2篇机械抛光
  • 1篇电化学
  • 1篇液晶
  • 1篇液晶显示
  • 1篇液晶显示器
  • 1篇有机物
  • 1篇抛光
  • 1篇抛光速率
  • 1篇抛光液
  • 1篇显示器
  • 1篇铝合金
  • 1篇镁铝合金
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇金刚石膜
  • 1篇合金
  • 1篇SIO
  • 1篇CMP
  • 1篇LCD
  • 1篇MG-AL合...

机构

  • 3篇河北工业大学

作者

  • 3篇刘玉岭
  • 3篇梁蒲
  • 2篇张研
  • 2篇陈婷
  • 1篇牛新环
  • 1篇檀柏梅
  • 1篇魏恒
  • 1篇阎宝华
  • 1篇肖文明

传媒

  • 3篇半导体技术

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
抛光液各组分在SiO_2介质CMP中的作用机理分析被引量:3
2010年
介绍了超大规模集成电路中SiO2介质的化学机械抛光机理及抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色。通过单因素实验法,在低压力的实验环境下,着重分析了抛光液中表面活性剂、pH值调节剂、纳米磨料等成分在SiO2介质化学机械抛光中的具体作用及影响机理。最终得出,最优化的实验配比,即当表面活性剂的浓度为30mol/L,pH值为11.30,硅溶胶与去离子水的体积比为2:1时,在保证较低表面粗糙度的同时得到了较高的抛光速率476nm/min。
梁蒲檀柏梅刘玉岭张研陈婷
关键词:化学机械抛光抛光液抛光速率表面粗糙度
Mg-Al合金化学机械抛光中表面状态的研究被引量:2
2010年
化学机械抛光(CMP)可以获得高精度、低表面粗糙度和无损伤工件表面,并可实现全局平坦化。将CMP技术拓展到Mg-Al合金表面加工中,研究了Mg-Al合金化学机械抛光机理,分析了Mg-Al合金化学机械抛光中pH值、压力、流量、转速等参数对Mg-Al合金表面状态的影响。结果表明,当pH值为11.20,压力为0.06MPa,流量200mL/min,转速60r/min,用Olympus显微镜观察Mg-Al合金表面状态良好。这一结果为进一步采用化学机械抛光法加工Mg-Al合金奠定了基础。
张研刘玉岭牛新环梁蒲肖文明阎宝华
关键词:镁铝合金化学机械抛光
金刚石膜电化学对LCD上残留有机物清洗的研究
2009年
随着微电子技术的发展,对清洗技术的要求也越来越严格。LCD由于低功耗、高画质和轻巧等优势,已作为平板显示领域的主导技术。采用金刚石膜电化学的强氧化物质对液晶盒上的残留有机物进行清洗,通过实验得出较好的清洗的氧化浓度和清洗时间,通过显微镜观察,电化学清洗能够有效去除有机物污染,对比了一般清洗与电化学清洗效果,得出了更适合清洗残留有机物的方法。
陈婷刘玉岭魏恒梁蒲
关键词:电化学液晶显示器表面污染有机物
共1页<1>
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