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孙素娟

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：哈尔滨工业大学材料科学与工程学院更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电沉积
  • 1篇电沉积法
  • 1篇电沉积法制备
  • 1篇缓冲层

机构

  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 1篇矫淑杰
  • 1篇王东博
  • 1篇孙素娟
  • 1篇高世勇
  • 1篇王金忠

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
电沉积法制备ZnO纳米柱及其机制研究被引量：2
2012年
采用阴极还原方法,以Zn(NO3)2水溶液为电解液制备ZnO纳米柱。分析了不同沉积电位和不同沉积时间的缓冲层对ZnO纳米柱的密度、形貌及取向的影响。通过分析缓冲层在不同沉积时间下的电流密度变化,研究了缓冲层对ZnO纳米柱密度影响的机理。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析了样品的表面形貌及结构。研究结果表明,缓冲层能够增加ZnO纳米柱的密度及c轴的取向性,当缓冲层的沉积时间为60 s时,可以得到密度最大、取向最好的ZnO纳米柱。
孙素娟矫淑杰高世勇王东博王金忠
关键词：电沉积缓冲层
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共1页<1>
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