王金忠
- 作品数：21 被引量：45H指数：4
- 供职机构：哈尔滨工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划黑龙江省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术兵器科学与技术更多>>
- 自供能TiO_2纳米管紫外探测器的制备与性能研究被引量：1
- 2018年
- 采用液相沉积法在ITO衬底上以ZnO纳米棒阵列为模板合成了TiO_2纳米管阵列,并采用SEM、XRD对样品的形貌、结构等进行表征。在此基础上,以空白ITO导电玻璃为对电极制备了光电化学型紫外探测器,并对其光响应特性进行测试。实验结果表明,制得的TiO_2纳米管轻微弯曲,由单一稳定的锐钛矿相组成。制得的自供能TiO_2纳米管紫外探测器对300～400nm紫外波段非常敏感而对可见光区无响应。在无外加偏压的条件下,TiO_2纳米管紫外探测器能够对紫外光实现探测,表现出自供能特性并且具有较高的光敏性。循环测试结果表明,制得的自供能TiO_2纳米管紫外探测器能够循环工作且性能稳定,上升时间和下降时间分别为0.33s和0.38s。
- 方向明李想高世勇张洁静矫淑杰王金忠
- 关键词：TIO2纳米管液相沉积法紫外探测器
- Cu掺杂ZnO纳米材料的制备及表征被引量：4
- 2013年
- 利用CuO作为前驱体对ZnO进行了Cu掺杂研究,分别在不同温度下获得了ZnO纳米带及有纳米带构成的微米花状结构,对其生长机理进行了分析。并且以Cu片为衬底获得了ZnO的纳米梳以及有纳米梳构成的多层结构ZnO。XRD表明产物中只有ZnO单质相的存在,EDS证明产物中存在Cu元素。ZnO室温下的PL谱表明其UV与深能级发射强度比随Cu掺杂量的增加而变大,说明Cu的掺杂能够降低ZnO的缺陷峰强度。
- 兰飞飞王金忠王敦博黎倩颜源于清江高世勇矫淑杰
- 关键词：ZNOCU掺杂光致发光
- ZnO纳米棒的制备及紫外探测性能被引量：3
- 2018年
- 通过水热法在ITO衬底上成功合成了ZnO纳米棒,并以ITO为电极制备了ZnO纳米棒紫外探测器件。在室温下测试了所制备器件对紫外光的响应性能。测试结果表明,ZnO纳米棒对紫外光有很好的光响应,在0V附近,ZnO纳米棒紫外探测器的灵敏度能达到1500。此外,通过循环测试可以观测到ZnO纳米棒紫外探测器具有良好的重复性和稳定性。
- 方向明范怀云高世勇万永彪张勇矫淑杰王金忠
- 关键词：ZNO纳米棒水热法紫外探测器
- ZnO纳米锥丛林阵列的低温制备和光催化性能被引量：6
- 2018年
- 用低温水热法(60℃)在纯水中在锌片上制备了ZnO纳米锥丛林阵列,并使用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和能谱仪等手段对其形貌、结构和化学成分进行了表征。结果表明,锌片表面被成簇的ZnO纳米锥和独立生长的ZnO纳米锥完全覆盖,ZnO纳米结构的纯度较高晶体质量也较好。ZnO纳米锥丛林阵列对甲基橙和亚甲基蓝都具有良好的催化性能,证明ZnO纳米锥丛林阵列对染料具有普遍催化作用。还分析了ZnO纳米锥丛林阵列的生长机制和光催化机理。
- 方向明曾值高世勇李文强王金忠
- 关键词：无机非金属材料水热法光催化
- 立方纳米结构ZnGa_2O_4的制备及光催化性质被引量：1
- 2019年
- 首先采用水热法在FTO衬底上制备出α-GaOOH纳米柱阵列,再以α-GaOOH纳米柱/FTO结构作为前驱体进行水热反应,经溶解再结晶过程,α-GaOOH纳米柱可转变为边长约为500 nm的ZnGa_2O_4纳米立方块。在模拟太阳光源辐照下的一系列光催化实验结果表明:样品对亚甲基蓝具有较强的吸附作用和较高的光催化活性,对罗丹明B、刚果红的吸附能力和光催化作用都很弱,对甲基橙只有较弱的光催化作用;H_2O_2可以作为电子捕捉剂和供氧剂,促进样品的导带电子参与活性自由基的形成,使样品对染料表现出持续较高的光催化活性。
- 姜雁博矫淑杰高世勇王东博王金忠
- 关键词：水热法光催化
- 电化学沉积法制备ZnO纳米柱及自驱动紫外探测性能研究被引量：4
- 2016年
- 采用提拉法在ITO衬底上制备种子层,并使用电化学沉积制备高度取向的氧化锌纳米棒,研究了不同提拉次数下籽晶层厚度与电化学沉积电位对氧化锌纳米棒形貌的影响。在此基础上,制备了自驱动型紫外探测器并测试了其光响应谱。结果表明,该探测器可以对部分紫外波段（300-400 nm）有选择性地光响应,峰值响应度为0.012 A/W。
- 孙兴敏金轶民矫淑杰李海力王金忠高世勇李洪涛
- 关键词：氧化锌电化学沉积
- Bi_(2)O_(2)Se纳米片的可控合成及光电性能研究
- 2021年
- 采用熔盐法,以五水硝酸铋为铋源、硒粉为硒源、水合肼作为还原剂,在不同NaOH浓度下(0~3 mol/L)合成了Bi_(2)O_(2)Se纳米片,并采用XRD,SEM,TEM以及XPS等对样品的形貌、结构和成分进行了表征。然后,以Bi_(2)O_(2)Se为工作电极制备了宽光谱自供能探测器,并探究了它们的光电探测性能。测试结果表明,在1.1 mol/L NaOH的条件下,Bi_(2)O_(2)Se自供能探测器的光电探测性能最优,在紫外-可见-红外波段具有较高的响应度。在365 nm紫外光照射下,光电流最高可以达到7.8μA,其上升和下降时间分别为30和21 ms。同时,通过计算得到其响应度和探测率分别为4.2×10^(-4)A/W和1.02×10^(-9)Jones。
- 陈雨田张翔宇曾值张冰珂赵晨晨任帅容萍高世勇王东博矫淑杰王金忠
- 关键词：熔盐法宽光谱
- 自供能Bi_(2)O_(2)Se/TiO_(2)异质结紫外探测器的制备与光电探测性能被引量：2
- 2022年
- 采用一步水热法合成了不同质量分数的Bi_(2)O_(2)Se/TiO_(2)异质结构,对其进行了X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜表征,并基于Bi_(2)O_(2)Se/TiO_(2)异质结制备了紫外探测器。实验结果表明:在365 nm紫外光的照射下,Bi_(2)O_(2)Se的质量分数为60%时,Bi_(2)O_(2)Se/TiO_(2)异质结探测器的光电探测性能最好,光电流高于Bi_(2)O_(2)Se探测器,是TiO_(2)探测器的7倍;响应时间约为30 ms,是TiO_(2)探测器的1/6。Bi_(2)O_(2)Se/TiO_(2)异质结探测器的响应度和探测率分别为10^(-3) A/W、1.08×10^(7) cm·Hz^(1/2)/W,均比TiO_(2)探测器高一个数量级,原因是Bi_(2)O_(2)Se与TiO_(2)复合形成的异质结促进了光生电子和空穴的分离。
- 张翔宇陈雨田曾值张冰珂赵晨晨任帅容萍高世勇王东博矫淑杰王金忠
- 关键词：探测器紫外探测器
- 退火工艺对Bi_(2)Te_(3)薄膜近红外光响应性能影响的研究
- 2023年
- 采用物理气相传输法(PVT)在p-Si衬底上制备了n-Bi_(2)Te_(3)薄膜。在不同温度下对薄膜样品进行退火处理,利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜以及光致发光光谱对退火处理前后的薄膜形貌与微观结构进行表征。研究了退火温度对Bi_(2)Te_(3)薄膜形貌结构以及红外光响应能力的影响。结果表明在200~400℃的温度区间内,退火温度为250℃时可有效提高薄膜结晶度,细化晶粒,减少薄膜缺陷,降低缺陷能级对Bi_(2)Te_(3)薄膜红外光响应性能的影响,使得在250℃获得的高结晶质量的Bi_(2)Te_(3)薄膜的红外光响应性能均优于其他的退火温度获得Bi_(2)Te_(3)薄膜和未处理的,表明采用PVT方法制备的Bi_(2)Te_(3)薄膜的最佳退火温度是250℃。
- 吴尉赵晨晨张殷泽毕杨豪王东博王金忠
- 关键词：退火温度响应度光电探测
- InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究综述
- 2024年
- 本文综述了InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究。从湿法和干法刻蚀的物理化学机理以及参数调控等方面进行分析,旨在阐明工艺条件对台面形貌的影响,以抑制带隙较窄的长波和甚长波超晶格表面漏电流。结果表明,湿法刻蚀中恰当的腐蚀液配比可以实现两种组分的均匀性刻蚀,而不会导致粗糙的表面和严重的下切;干法刻蚀中,采用Cl_(2)基和CH 4基混合气体,通过调整刻蚀气体类型及比例可实现物理和化学刻蚀两个过程的平衡,保证台面侧壁平滑性和倾角的垂直度。另外,对于不同组分的超晶格,需要选择不同的工艺参数才能满足InAs和GaSb的协同性刻蚀。最后对InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺作出了展望。
- 张翔宇蒋洞微贺雯王金忠
- 关键词：INAS/GASB超晶格湿法刻蚀干法刻蚀
