王东博
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：哈尔滨工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 立方纳米结构ZnGa_2O_4的制备及光催化性质被引量：1
- 2019年
- 首先采用水热法在FTO衬底上制备出α-GaOOH纳米柱阵列,再以α-GaOOH纳米柱/FTO结构作为前驱体进行水热反应,经溶解再结晶过程,α-GaOOH纳米柱可转变为边长约为500 nm的ZnGa_2O_4纳米立方块。在模拟太阳光源辐照下的一系列光催化实验结果表明:样品对亚甲基蓝具有较强的吸附作用和较高的光催化活性,对罗丹明B、刚果红的吸附能力和光催化作用都很弱,对甲基橙只有较弱的光催化作用;H_2O_2可以作为电子捕捉剂和供氧剂,促进样品的导带电子参与活性自由基的形成,使样品对染料表现出持续较高的光催化活性。
- 姜雁博矫淑杰高世勇王东博王金忠
- 关键词：水热法光催化
- 自供能Bi_(2)O_(2)Se/TiO_(2)异质结紫外探测器的制备与光电探测性能被引量：2
- 2022年
- 采用一步水热法合成了不同质量分数的Bi_(2)O_(2)Se/TiO_(2)异质结构,对其进行了X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜表征,并基于Bi_(2)O_(2)Se/TiO_(2)异质结制备了紫外探测器。实验结果表明:在365 nm紫外光的照射下,Bi_(2)O_(2)Se的质量分数为60%时,Bi_(2)O_(2)Se/TiO_(2)异质结探测器的光电探测性能最好,光电流高于Bi_(2)O_(2)Se探测器,是TiO_(2)探测器的7倍;响应时间约为30 ms,是TiO_(2)探测器的1/6。Bi_(2)O_(2)Se/TiO_(2)异质结探测器的响应度和探测率分别为10^(-3) A/W、1.08×10^(7) cm·Hz^(1/2)/W,均比TiO_(2)探测器高一个数量级,原因是Bi_(2)O_(2)Se与TiO_(2)复合形成的异质结促进了光生电子和空穴的分离。
- 张翔宇陈雨田曾值张冰珂赵晨晨任帅容萍高世勇王东博矫淑杰王金忠
- 关键词：探测器紫外探测器
- 退火工艺对Bi_(2)Te_(3)薄膜近红外光响应性能影响的研究
- 2023年
- 采用物理气相传输法(PVT)在p-Si衬底上制备了n-Bi_(2)Te_(3)薄膜。在不同温度下对薄膜样品进行退火处理,利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜以及光致发光光谱对退火处理前后的薄膜形貌与微观结构进行表征。研究了退火温度对Bi_(2)Te_(3)薄膜形貌结构以及红外光响应能力的影响。结果表明在200~400℃的温度区间内,退火温度为250℃时可有效提高薄膜结晶度,细化晶粒,减少薄膜缺陷,降低缺陷能级对Bi_(2)Te_(3)薄膜红外光响应性能的影响,使得在250℃获得的高结晶质量的Bi_(2)Te_(3)薄膜的红外光响应性能均优于其他的退火温度获得Bi_(2)Te_(3)薄膜和未处理的,表明采用PVT方法制备的Bi_(2)Te_(3)薄膜的最佳退火温度是250℃。
- 吴尉赵晨晨张殷泽毕杨豪王东博王金忠
- 关键词：退火温度响应度光电探测
- Bi_(2)O_(2)Se纳米片的可控合成及光电性能研究
- 2021年
- 采用熔盐法,以五水硝酸铋为铋源、硒粉为硒源、水合肼作为还原剂,在不同NaOH浓度下(0~3 mol/L)合成了Bi_(2)O_(2)Se纳米片,并采用XRD,SEM,TEM以及XPS等对样品的形貌、结构和成分进行了表征。然后,以Bi_(2)O_(2)Se为工作电极制备了宽光谱自供能探测器,并探究了它们的光电探测性能。测试结果表明,在1.1 mol/L NaOH的条件下,Bi_(2)O_(2)Se自供能探测器的光电探测性能最优,在紫外-可见-红外波段具有较高的响应度。在365 nm紫外光照射下,光电流最高可以达到7.8μA,其上升和下降时间分别为30和21 ms。同时,通过计算得到其响应度和探测率分别为4.2×10^(-4)A/W和1.02×10^(-9)Jones。
- 陈雨田张翔宇曾值张冰珂赵晨晨任帅容萍高世勇王东博矫淑杰王金忠
- 关键词：熔盐法宽光谱
- β-Ga_(2)O_(3)的p型掺杂研究进展被引量：2
- 2024年
- β-Ga_(2)O_(3)具有超宽禁带宽度、高击穿场强、较高的巴利加优值等优点使其成为一种新兴半导体材料,在高功率电子器件、气体传感器、日盲紫外探测器等方面有着极大的应用潜力,但p型掺杂难的问题成为了β-Ga_(2)O_(3)发展的巨大障碍。本文首先简要概述了β-Ga_(2)O_(3)的优点,并介绍了其晶体结构和基本性质。其次,说明了β-Ga_(2)O_(3)的本征缺陷,尤其是氧空位对导电性能的影响。然后,详细讨论了β-Ga_(2)O_(3) p型掺杂的研究现状,包括p型掺杂困难的原因和N掺杂、Mg掺杂、Zn掺杂、其他受主元素掺杂、两种元素共掺杂以及其他方法。最后,总结并对β-Ga_(2)O_(3)未来的发展进行了展望。
- 何俊洁矫淑杰聂伊尹高世勇王东博王金忠
- 关键词：本征缺陷P型掺杂宽禁带半导体半导体
- 电沉积法制备ZnO纳米柱及其机制研究被引量：2
- 2012年
- 采用阴极还原方法,以Zn(NO3)2水溶液为电解液制备ZnO纳米柱。分析了不同沉积电位和不同沉积时间的缓冲层对ZnO纳米柱的密度、形貌及取向的影响。通过分析缓冲层在不同沉积时间下的电流密度变化,研究了缓冲层对ZnO纳米柱密度影响的机理。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析了样品的表面形貌及结构。研究结果表明,缓冲层能够增加ZnO纳米柱的密度及c轴的取向性,当缓冲层的沉积时间为60 s时,可以得到密度最大、取向最好的ZnO纳米柱。
- 孙素娟矫淑杰高世勇王东博王金忠
- 关键词：电沉积缓冲层
- 锑化物Ⅱ类超晶格材料外延生长、结构及光学特性研究进展被引量：1
- 2021年
- 近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础。然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿命过短,严重影响了光电子器件性能的提升,因此设计并生长具有长少子寿命的新材料体系超晶格材料具有重要的研究意义。本文对现阶段锑化物Ⅱ类超晶格材料的各类材料体系进行了总结和分析,着重强调了各类材料体系的外延生长条件、结构及光学特性等方面的研究进展,并对锑化物Ⅱ类超晶格材料今后的发展进行了展望。
- 刘胜达房丹方铉赵鸿滨赵鸿滨王登魁王东博王东博王晓华马晓辉
- 关键词：锑化物超晶格分子束外延少子寿命
