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王秋入

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇坡莫合金
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇基片
  • 1篇各向异性
  • 1篇AMR
  • 1篇表面粗糙度
  • 1篇磁阻
  • 1篇磁阻效应
  • 1篇粗糙度

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇余涛
  • 1篇彭斌
  • 1篇王秋入
  • 1篇王鹏

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基片表面粗糙度对坡莫合金AMR以及磁性能的影响
2015年
利用霍尔离子源轰击Si基片获得了不同表面粗糙度的基片,然后利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(5nm)/Ni 80Fe 20(12nm)/Ta(2nm)薄膜样品,重点研究了基片表面粗糙度对薄膜结构和各向异性磁阻效应的影响。采用AFM测量基片的表面粗糙度,采用四探针法测量薄膜的各向异性磁阻效应。研究结果表明,随着基片表面粗糙度的增加,坡莫合金的AMR值显著降低,且ΔH显著增加。
余涛彭斌王秋入王鹏
关键词：表面粗糙度
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共1页<1>
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