王鹏
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金四川省科技支撑计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 基片表面粗糙度对坡莫合金AMR以及磁性能的影响
- 2015年
- 利用霍尔离子源轰击Si基片获得了不同表面粗糙度的基片,然后利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(5nm)/Ni 80Fe 20(12nm)/Ta(2nm)薄膜样品,重点研究了基片表面粗糙度对薄膜结构和各向异性磁阻效应的影响。采用AFM测量基片的表面粗糙度,采用四探针法测量薄膜的各向异性磁阻效应。研究结果表明,随着基片表面粗糙度的增加,坡莫合金的AMR值显著降低,且ΔH显著增加。
- 余涛彭斌王秋入王鹏
- 关键词：表面粗糙度
- 电泳沉积法制备锶铁氧体厚膜被引量：3
- 2014年
- 通过表面活性剂十二烷基苯磺酸(DBSA)包覆锶铁氧体,在1-丁醇中制备了稳定的悬浮液并成功电泳沉积锶铁氧体厚膜。从理论和实验上研究了沉积量及膜厚与电场强度、电泳时间和电极距离等的关系。结果表明电泳法能够制备质量优异的锶铁氧体厚膜,但沉积条件对厚膜有重要影响。烧结温度为1000℃时可获得磁性能良好的厚膜,其比饱和磁化强度为45A·m2/kg,剩磁比为0.556,矫顽力为4840Oe。经过分步沉积膜厚可达40μm左右。利用该方法制备的膜可用于设计带宽较宽的非互易微波铁氧体器件。
- 王鹏李军科彭斌王渊朝
- 关键词：ZETA电位电泳沉积微波铁氧体器件
- 基于AMR效应与Si集成的开关芯片制备与设计被引量：1
- 2014年
- 采用射频(直流)磁控溅射的方法,在生长了约200nm厚Si3N4过渡层的硅片上制备了NiFe薄膜。采用惠斯通电桥作为磁场的感应部分,设计了惠斯通电桥的尺寸,并通过光刻剥离的技术制备了电桥。研究了NiFe薄膜厚度对电桥敏感特性的影响,确定了厚度为50nm时有较高的灵敏度。将磁电阻敏感单元与信号放大处理电路集成,成功地制作出了磁场感应阀值为160A/m(2Oe)的磁电阻开关芯片。
- 武世祥余涛王鹏徐慧忠张万里
- 关键词：溅射惠斯通电桥开关芯片
