余涛
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省科技支撑计划国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 基片表面粗糙度对坡莫合金AMR以及磁性能的影响
- 2015年
- 利用霍尔离子源轰击Si基片获得了不同表面粗糙度的基片,然后利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(5nm)/Ni 80Fe 20(12nm)/Ta(2nm)薄膜样品,重点研究了基片表面粗糙度对薄膜结构和各向异性磁阻效应的影响。采用AFM测量基片的表面粗糙度,采用四探针法测量薄膜的各向异性磁阻效应。研究结果表明,随着基片表面粗糙度的增加,坡莫合金的AMR值显著降低,且ΔH显著增加。
- 余涛彭斌王秋入王鹏
- 关键词：表面粗糙度
- 磁性薄膜复数磁导率的短路微带线法测试
- 2014年
- 基于传输线理论提出了测试磁性薄膜复数磁导率的短路微带线法,利用磁性薄膜标准Lorentzian形式的复数磁导率频谱验证了短路微带线法的正确性。结果表明,短路微带线法在DC^5GHz的频率范围内具有较高的精确性。同时设计和制作了DC^5GHz的测试夹具,用其测试了NiFe磁性薄膜的复数磁导率并用标准Lorentzian形式磁谱对测试结果进行数据拟合。结果表明,从所设计的微带夹具测得的S11能够较为精确地获得磁性薄膜的复数磁导率。最后分析了该测试方法的测试误差来源。
- 骆俊百余涛艾明哲彭斌张万里
- 关键词：磁性薄膜复数磁导率
- 基于NiFe薄膜AMR效应磁阻开关芯片的研究
- 2015年
- 利用磁控溅射设备在含有电路的6in.晶元上沉积惠斯通电桥形状的NiFe薄膜,对薄膜进行磁场退火处理,然后对薄膜进行后续的加工和封装,成功制备出磁阻开关芯片,经过测试获得芯片的相关电磁参数,发现其开关性能优异,温度稳定性好,静态功耗低,已经达到国外同类产品的性能。
- 余涛吴婷杨华陈忠志彭斌
- 关键词：静态功耗
- 基于AMR效应与Si集成的开关芯片制备与设计被引量：1
- 2014年
- 采用射频(直流)磁控溅射的方法,在生长了约200nm厚Si3N4过渡层的硅片上制备了NiFe薄膜。采用惠斯通电桥作为磁场的感应部分,设计了惠斯通电桥的尺寸,并通过光刻剥离的技术制备了电桥。研究了NiFe薄膜厚度对电桥敏感特性的影响,确定了厚度为50nm时有较高的灵敏度。将磁电阻敏感单元与信号放大处理电路集成,成功地制作出了磁场感应阀值为160A/m(2Oe)的磁电阻开关芯片。
- 武世祥余涛王鹏徐慧忠张万里
- 关键词：溅射惠斯通电桥开关芯片
