王晓晨
- 作品数：12 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>
- 晶圆级单轴应变SGOI的制作方法
- 本发明公开了一种晶圆级单轴应变SGOI的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动...
- 郝跃王晓晨戴显英金国强李志王琳张鹤鸣
- 文献传递
- 机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法
- 本发明公开了一种机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆...
- 戴显英张鹤鸣郝跃王琳宁静李志王晓晨查冬付毅初
- 文献传递
- 基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法
- 本发明公开了一种基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGO...
- 戴显英李志邵晨峰王船宝郝跃张鹤鸣王晓晨
- 文献传递
- Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
- 在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明，当Ge沟道长度小于200mm时，阈值电压受沟道长度、虚拟衬...
- 李志戴显英查冬王晓晨王琳付毅初宁静杨程郑若川
- 关键词：短沟道效应阈值电压
- 基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法
- 本发明公开了一种基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGO...
- 戴显英李志邵晨峰王船宝郝跃张鹤鸣王晓晨
- 晶圆级单轴应变SOI研究
- 将4英寸SOI片在自制的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲的硅片在250℃下退火20h，得到了单轴张应变的SOI样品。弯曲半径为0.75m的应变SOI样品的拉曼频移为520.3cm-1，相对于体硅，其拉曼频移差为-0.3cm...
- 戴显英付毅初杨程郑若川王琳张鹤鸣郝跃王宗伟宁静王晓晨查冬李志
- 关键词：集成电路弹塑性力学
- 晶圆级单轴应变SGOI的制作方法
- 本发明公开了一种晶圆级单轴应变SGOI的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动...
- 郝跃王晓晨戴显英金国强李志王琳张鹤鸣
- 机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法
- 本发明公开了一种机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆...
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- LTE中随机接入的FPGA实现
- LTE项目通过不断演进3G系统,为用户提供更强大的数据业务支持,以及更好的服务。而移动通信要接入网络,使用无线网络资源,就必须经过随机接入过程。即随机接入技术主要目的便是取得上行同步。本文重点研究LTE上行链路物理层随机...
- 王晓晨
- 关键词：LTE随机接入FPGA
- 表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
- 2012年
- 基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.
- 戴显英李志张鹤鸣郝跃王琳查冬王晓晨付毅初
- 关键词：阈值电压模型短沟道效应
