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郝跃

作品数：2,712 被引量：1,266H指数：13
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2,133篇专利
  • 484篇期刊文章
  • 85篇会议论文
  • 8篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 922篇电子电信
  • 79篇自动化与计算...
  • 74篇电气工程
  • 60篇理学
  • 54篇一般工业技术
  • 26篇金属学及工艺
  • 23篇化学工程
  • 19篇文化科学
  • 5篇经济管理
  • 5篇机械工程
  • 4篇轻工技术与工...
  • 4篇航空宇航科学...
  • 2篇天文地球
  • 2篇政治法律
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 406篇晶体管
  • 341篇势垒
  • 289篇迁移率
  • 267篇电极
  • 257篇二极管
  • 252篇电路
  • 229篇衬底
  • 219篇电子迁移率
  • 217篇势垒层
  • 199篇肖特基
  • 186篇异质结
  • 185篇半导体
  • 174篇高电子迁移率
  • 172篇氮化镓
  • 172篇高电子迁移率...
  • 166篇场板
  • 164篇淀积
  • 152篇集成电路
  • 142篇场效应
  • 135篇沟道

机构

  • 2,684篇西安电子科技...
  • 13篇长安大学
  • 13篇教育部
  • 13篇中国科学院
  • 9篇宝鸡文理学院
  • 9篇北京大学
  • 7篇中国电子科技...
  • 6篇中国科学院微...
  • 6篇中国电子科技...
  • 6篇西安电子科技...
  • 5篇国防科学技术...
  • 4篇电子科技大学
  • 4篇上海交通大学
  • 4篇西安交通大学
  • 4篇中国科学院科...
  • 3篇湘潭大学
  • 3篇西安科技大学
  • 3篇中国科学院数...
  • 3篇中国航天
  • 3篇中国科学院大...

作者

  • 2,711篇郝跃
  • 996篇张进成
  • 651篇马晓华
  • 254篇张春福
  • 233篇郑雪峰
  • 221篇许晟瑞
  • 215篇马佩军
  • 183篇毛维
  • 182篇冯倩
  • 170篇张鹤鸣
  • 169篇杨凌
  • 164篇张金风
  • 164篇王冲
  • 148篇宋建军
  • 147篇陈大正
  • 145篇胡辉勇
  • 144篇宣荣喜
  • 134篇赵胜雷
  • 131篇张进城
  • 125篇宁静

传媒

  • 91篇Journa...
  • 84篇物理学报
  • 71篇西安电子科技...
  • 40篇电子学报
  • 20篇固体电子学研...
  • 18篇微电子学
  • 13篇半导体技术
  • 9篇电子与信息学...
  • 9篇电子器件
  • 8篇人工晶体学报
  • 8篇第13届全国...
  • 7篇电子科技
  • 7篇光子学报
  • 6篇中国科学（E...
  • 6篇现代电子技术
  • 6篇电子科学学刊
  • 5篇科学通报
  • 5篇应用科学学报
  • 5篇中国科学：信...
  • 4篇计算机学报

年份

  • 159篇2025
  • 210篇2024
  • 211篇2023
  • 241篇2022
  • 202篇2021
  • 180篇2020
  • 175篇2019
  • 97篇2018
  • 131篇2017
  • 130篇2016
  • 132篇2015
  • 111篇2014
  • 56篇2013
  • 133篇2012
  • 36篇2011
  • 54篇2010
  • 62篇2009
  • 45篇2008
  • 41篇2007
  • 48篇2006
共 2,712 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高电导率AlN/GaN异质结的制备方法
本发明公开了一种高电导率AlN/GaN异质结，由下至上依次为蓝宝石衬底、AlN缓冲层、GaN沟道层以及AlN势垒层；GaN沟道层的AlN材料内的总极化强度远大于AlN势垒层GaN材料内的总极化强度，在界面处出现净正电荷，...
陶鸿昌谢凯歌许晟瑞苏华科张涛高源郝跃
一种面向毫米波的低噪声GaN HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种面向毫米波的低噪声GaN HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次层叠设置的衬底、成核层、沟道层、势垒层、第一钝化层和第二钝化层；源极和漏极，分别位于第一钝化层沿第一方向的两侧，且源极和漏...
杨凌张龙张濛于谦武玫侯斌宓珉瀚郝跃
一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管
本发明涉及一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底、位于衬底上的缓冲层和位于缓冲层上的沟道层；位于沟道层上的复合势垒层，包括第一势垒层、第二势垒层和第三势垒层；位于第一势垒层上的阴极；位于第二势垒层上...
郑雪峰马晓华郝跃白丹丹
文献传递
AlGaN基SiC衬底的紫外LED制作方法
本发明公开了一种AlGaN基SiC衬底的紫外LED器件及制作方法，它涉及到微电子技术领域，主要解决出射光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n-AlGaN势垒层、...
郝跃杨凌马晓华周小伟李培咸
文献传递
声表面波器件的有效模拟方法
1994年
本文对彩色电视机中，声表面波滤波器结构作了简单分析，利用“黑箱”法为其建立了相应的宏模型电路，给出了不同频率下宏模型电路中各参数值。介绍了如何在ＳＰＩＣＥ软件加入新元器件的方法。最后给出一个应用实例，并证明了该方法的正确性和可行性。
刘志镜郝跃马允宜
关键词：声表面波器件滤波器
基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法
本发明涉及一种基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法，二极管包括：衬底层、漂移层、若干P型金刚石区、阴极和阳极，其中，阴极、衬底层、漂移层依次层叠；若干P型金刚石区间隔分布在漂移层的表层中；阳极位于漂移层的表...
武玫马晓华杨凌贾富春侯斌张濛朱青郝跃
表面态陷阱对器件输出特性影响的测量方法
本发明公开了一种表面态陷阱对器件输出特性影响的测量方法，主要解决目前无法单独测量表面态陷阱对器件输出特性影响的问题；其实现方案是：首先在被测器件的源极和漏极之间再新制作一个栅极，形成双栅结构；再测量器件的输出电流；接着对...
郑雪峰王士辉吉鹏董帅帅王颖哲马晓华郝跃
文献传递
基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法
本发明公开了一种基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性AlN纳米线生长中工艺复杂、生长效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-20nm金属Ti；(2)将...
姜腾许晟瑞郝跃张进成张金风林志宇雷楠陆小力
文献传递
基于GaN衬底CVD外延生长石墨烯的化学腐蚀转移方法
本发明公开了一种基于GaN衬底CVD外延生长石墨烯的化学腐蚀转移方法，主要解决现有技术对石墨烯转移耗时，铜衬底浪费的问题。其实现步骤是：（1）将a面碳化硅置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室，通入镓源与氨气，生长a...
王东闫景东宁静韩砀柴正张进成郝跃
文献传递
一种具有超结-AlGaN异质结复合栅增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种具有超结‑AlGaN异质结复合栅增强型HEMT及其制备方法，形成的器件结构包括从下至上依次设置的衬底层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层；设置在AlGaN势垒层上表面中间栅区域对应位置处的p‑...
王冲丁小龙马晓华刘凯张文韬郝跃
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