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付毅初

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 5篇晶圆
  • 4篇原状
  • 4篇圆片
  • 4篇退火
  • 4篇退火温度
  • 4篇晶圆片
  • 3篇绝缘层
  • 2篇电学性能
  • 2篇短沟道
  • 2篇短沟道效应
  • 2篇势垒
  • 2篇阈值电压
  • 2篇阈值电压模型
  • 2篇微扰
  • 2篇绝缘
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道效应
  • 2篇SOI晶圆
  • 2篇ALN
  • 2篇PMOSFE...

机构

  • 9篇西安电子科技...

作者

  • 9篇付毅初
  • 8篇戴显英
  • 7篇郝跃
  • 6篇张鹤鸣
  • 6篇查冬
  • 6篇王晓晨
  • 4篇李志
  • 4篇王琳
  • 2篇苑志刚
  • 2篇李志
  • 2篇张金榜
  • 2篇曹婷婷
  • 2篇郑若川
  • 2篇杨程
  • 2篇王琳
  • 2篇刘光宇
  • 2篇宁静
  • 1篇宋建军

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 2篇2014
  • 4篇2012
  • 3篇2011
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆...
戴显英张鹤鸣郝跃王琳宁静李志王晓晨查冬付毅初
文献传递
应变Ge/Si1-xGex价带E（k）～k关系研究
几十年来,随着CMOS器件尺寸进入亚微米级、深亚微米级领域,传统器件所采用的材料和器件工艺尺寸已经接近或达到它们的极限。应变锗技术因为能引起电子和空穴迁移率的提高而逐渐进入人们的视线。因为应变锗的这个优势相当于在工艺条件...
付毅初
Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明，当Ge沟道长度小于200mm时，阈值电压受沟道长度、虚拟衬...
李志戴显英查冬王晓晨王琳付毅初宁静杨程郑若川
关键词：短沟道效应阈值电压
基于机械弯曲台的AlN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的单轴应变SGOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1...
郝跃付毅初戴显英刘光宇曹婷婷张金榜苑志刚张鹤鸣
文献传递
晶圆级单轴应变SOI研究
将4英寸SOI片在自制的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲的硅片在250℃下退火20h，得到了单轴张应变的SOI样品。弯曲半径为0.75m的应变SOI样品的拉曼频移为520.3cm-1，相对于体硅，其拉曼频移差为-0.3cm...
戴显英付毅初杨程郑若川王琳张鹤鸣郝跃王宗伟宁静王晓晨查冬李志
关键词：集成电路弹塑性力学
机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆...
戴显英张鹤鸣郝跃王琳宁静李志王晓晨查冬付毅初
表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
2012年
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.
戴显英李志张鹤鸣郝跃王琳查冬王晓晨付毅初
关键词：阈值电压模型短沟道效应
应变Ge价带色散模型研究
基于kp微扰理论，通过引入应变哈密顿微扰项，推导建立了双轴应变Ge(100)价带色散关系模型。模型适于任意晶向弛豫Si1-xGex虚衬底上的应变Ge，通过该模型可获得任意K方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量。
戴显英宁静付毅初王宗伟宋建军张鹤呜郝跃王琳王晓晨查冬李志
关键词：半导体材料
基于机械弯曲台的AlN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的单轴应变SGOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1...
郝跃付毅初戴显英刘光宇曹婷婷张金榜苑志刚张鹤鸣
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