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谭为

作品数：48 被引量：12H指数：3
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇机械工程
  • 1篇水利工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 14篇太赫兹
  • 10篇赫兹
  • 9篇半导体
  • 8篇电极
  • 8篇高频
  • 7篇肖特基
  • 7篇二极管
  • 6篇电路
  • 6篇隧穿
  • 6篇共振隧穿
  • 6篇共振隧穿二极...
  • 5篇偏振
  • 5篇空气桥
  • 5篇激光
  • 5篇飞秒
  • 5篇飞秒激光
  • 5篇半导体器件
  • 4篇导体
  • 4篇电极结构
  • 4篇太赫兹波

机构

  • 48篇中国工程物理...
  • 7篇中国工程物理...

作者

  • 48篇谭为
  • 19篇冯正
  • 17篇苏娟
  • 14篇李倩
  • 14篇曾建平
  • 14篇安宁
  • 8篇张健
  • 7篇邓贤进
  • 7篇张世勇
  • 6篇谭为
  • 6篇童小东
  • 6篇刘清锋
  • 6篇石向阳
  • 4篇康小克
  • 4篇刘杰
  • 3篇成彬彬
  • 2篇吕立明
  • 2篇郑英彬
  • 2篇岑冀娜
  • 2篇周林

传媒

  • 4篇太赫兹科学与...
  • 1篇移动通信
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报

年份

  • 5篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 6篇2020
  • 9篇2019
  • 13篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 48 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种GaN基异质结变容管装置及其外延结构
本发明提供了GaN基异质结变容管装置及其外延结构，旨在解决现有的倍频器件以金属和半导体形成的肖特基接触为基础，导致功率特性较差的问题。GaN基异质结变容管装置，包括由GaN基材料制作的衬底、高阻缓冲层、第一层重掺杂导电层...
曾建平安宁李倩谭为
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一种高迁移率晶体管的制作方法
本发明公开了一种高迁移率晶体管（HEMT）的制作方法，属于微电子技术领域，涉及半导体器件制作，该方法采用了化学机械抛光的方式将假栅去除，然后制备侧墙，降低沟道长度的同时实现栅的自对准，可以生产出一种短沟道及低源漏电阻的高...
童小东谭为张世勇曾耿华张健
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侧墙栅高迁移率晶体管的制备方法
本发明公开了一种侧墙栅高迁移率晶体管的制备方法，通过光刻、金属淀积、剥离的方法在具有二维电子气特性的外延片表面沉积形成两块金属膜，金属膜呈左右分布，退火成欧姆接触层，接着淀积介质层一，通过光刻后刻蚀，在左右两个欧姆接触形...
童小东谭为郑鹏辉张世勇徐建星
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一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器
本发明公开了一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器，其具体结构包括：铁磁纳米层/LaAlO<Sub>3</Sub>纳米层/SrTiO<Sub>3</Sub>衬底/底电极，LaAlO<Sub>3</Sub>纳米层和SrTiO...
冯正王大承谭为
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一种高频芯片的低损耗互连工艺方法
本发明公开了一种高频芯片的低损耗互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法采用MEMS微加工工艺技术实现高频芯片焊盘间的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，降低寄生效应引入的损耗，提高器件的频率特性；且互连金属尺寸...
苏娟郑英彬刘清锋刘杰康小克冯正谭为邓贤进张健
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一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法
本发明属于太赫兹高频器件技术领域，公开了一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法，外延结构为结构一或结构二：结构一包括衬底、缓冲层、电流扩展层、GaN牺牲层和肖特基有源层；电流扩展层与GaN牺牲层间形成低电...
安宁曾建平李倩谭为
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各向异性介电超材中多极干涉对太赫兹偏振的高效调控
基于超材料的太赫兹偏振调控是当前的热点研究领域之一。设计低损耗的太赫兹调控器件，同时其保证大的相位变化是目前研究的重点和难点。本文通过设计具有多阶米氏谐振模式的各向异性介电超材料实现高效的太赫兹偏振调控。
王大承谭为孙松冯正
关键词：太赫兹
一种高频芯片波导封装的倒装互连工艺方法
本发明公开了一种高频芯片波导封装的倒装互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法基于倒装焊技术，通过芯片或互连载片倒装焊接的方式，配合相应的MEMS微加工工艺技术实现高频固态集成放大器模块波导封装的金属互连，可缩短...
苏娟刘杰刘清锋周林康小克冯正谭为邓贤进张健
一种基于交换偏置磁场的太赫兹波发生器
本发明公开了一种基于交换偏置磁场的太赫兹波发生器，利用交换偏置多层膜中铁磁/非磁薄膜和/或铁磁/反铁磁薄膜的超快自旋流注入与逆自旋霍尔效应产生太赫兹波。同时利用铁磁/反铁磁薄膜的交换偏置效应产生的交换偏置磁场，固定钉扎铁...
冯正谭为王大承
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一种具有空气桥的半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种具有空气桥的半导体器件及其制作方法，在半导体器件中制作空气桥样式的电极，进而保证具有空气桥的半导体器件显著降低了器件寄生效应引入的损耗，提升了半导体器件的频率和功率特性。本发明提供的技术方案，通过在第二掩...
苏娟石向阳李倩王丁安宁曾建平谭为
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