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基于无源集成器件的电流传感器及其制备方法: 本发明公开了基于无源集成器件的电流传感器及其制备方法，涉及微电子技术领域，该硅基板包括硅基板，硅基板贯穿有穿插待测导线的第一通孔，围绕第一通孔环设的多个第二通孔；各个导线柱之间通过互联线相连形成罗氏线圈的传感结构；硅基板...; 许潘孙翔宇安宁杨振中周泉丰

一种全硅基双面集成结构及其制备方法: 本发明公开了一种全硅基双面集成结构，该结构包括：位于顶层的硅桥、位于中间层的双面器件和TSV芯片、位于底层的硅转接板；其中双面器件和TSV芯片的上表面均与硅桥下表面通过微凸点实现机械及电气互联，下表面均与硅转接板上表面通...; 张翔鸥孙翔宇安宁邓泽佳

一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法: 本发明属于太赫兹高频器件技术领域，公开了一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法，外延结构为结构一或结构二：结构一包括衬底、缓冲层、电流扩展层、GaN牺牲层和肖特基有源层；电流扩展层与GaN牺牲层间形成低电...; 安宁曾建平李倩谭为; 文献传递

GaN基SBD器件及倍频电路研究进展: 本文开展了 AlGaN/GaN MSM型变容SBD研究,通过直流测试和射频测试提取了器件的直流、高频关键参数,其中栅长为5μm的MSM型变容SBD,反向漏电流为2×10-7A/mm@-8V,串联电阻 Rs=50.7Ω,零...; 曾建平安宁李倩谭为唐杨陆彬蒋均李理; 关键词：GAN 肖特基二极管截止频率

AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管的仿真与制作: 2018年; 基于GaN横向肖特基势垒二极管（SBD）的频率特性和应用的需要,设计了一种基于AlGaN/GaN异质结的横向SBD。利用Silvaco Atlas软件研究了AlGaN势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结Al_xGaN_（1-x）/GaN SBD电学性能的影响。仿真结果表明,SBD器件截止频率随Al摩尔组分的增加先增大再减小,当Al_xGaN_（1-x）层中Al摩尔组分为0.2~0.25,其厚度为20~30 nm时,AlGaN/GaN SBD器件的频率特性最好。在仿真的基础上,设计制作出了肖特基接触直径为2μm的非凹槽和凹槽型AlGaN/GaN横向空气桥SBD。通过直流I-V测试和射频S参数测试,提取了两种SBD器件的理想因子、串联电阻、结电容、截止频率和品质因子等关键参数,该平面SBD可应用于片上集成和混合集成的太赫兹电路的设计与制造。; 李倩李倩安宁曾建平唐海林唐海林李志强; 关键词：ALGAN/GAN 空气桥太赫兹

一种GaN基异质结变容管装置及其外延结构: 本发明提供了GaN基异质结变容管装置及其外延结构，旨在解决现有的倍频器件以金属和半导体形成的肖特基接触为基础，导致功率特性较差的问题。GaN基异质结变容管装置，包括由GaN基材料制作的衬底、高阻缓冲层、第一层重掺杂导电层...; 曾建平安宁李倩谭为; 文献传递

一种GaN基SBD变频电路及其制作方法: 本发明属于太赫兹高频器件和集成电路制备领域，公开了一种GaN基SBD变频电路，包括基于金刚石衬底的电路和基于垂直电极的GaN基SBD器件，所述基于金刚石衬底的电路从下至上依次包括衬底、第一层金属、第二层金属、第一层介质层...; 曾建平安宁李倩谭为; 文献传递

一种制备部分覆盖侧面电极的方法: 本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蚀，D．第二次清洗干燥，E．沉积钝化层，F．第二次光刻，G．第二次刻蚀，H．沉积电极，I．腐蚀，J...; 王文杰谢武泽李舒啸安宁李倩曾建平; 文献传递

一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法: 本发明公开了一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法，首先在第二掺杂层背离衬底一侧形成一对应收集极区的自对准电极，以自对准电极为掩膜对衬底上的外延结构进行刻蚀，得到收集极区相应的台面，由于自对准电极与第二掺杂层结合强度...; 苏娟石向阳李倩王丁安宁曾建平谭为; 文献传递

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安宁