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冯正

作品数：27 被引量：7H指数：2
供职机构：中国工程物理研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信环境科学与工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 9篇理学
  • 6篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 17篇太赫兹
  • 12篇赫兹
  • 9篇自旋
  • 5篇太赫兹波
  • 5篇激光
  • 5篇飞秒
  • 5篇飞秒激光
  • 4篇偏振
  • 4篇芯片
  • 4篇脉冲
  • 4篇晶体
  • 4篇互连
  • 4篇互连工艺
  • 4篇光子
  • 4篇光子晶体
  • 4篇发生器
  • 4篇高频
  • 3篇外加磁场
  • 3篇磁场
  • 2篇倒装焊

机构

  • 24篇中国工程物理...
  • 10篇中国工程物理...
  • 3篇南京大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇西南科技大学
  • 2篇河南师范大学
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇天津工业大学
  • 1篇亚利桑那大学
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇学研究院

作者

  • 27篇冯正
  • 19篇谭为
  • 7篇邓贤进
  • 6篇张健
  • 6篇刘清锋
  • 6篇苏娟
  • 4篇康小克
  • 4篇刘杰
  • 4篇成彬彬
  • 2篇吕立明
  • 2篇郑英彬
  • 2篇岑冀娜
  • 2篇谭为
  • 2篇周林
  • 1篇路海
  • 1篇邓琥
  • 1篇王平
  • 1篇曾建平
  • 1篇童小东

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇太赫兹科学与...
  • 1篇第二届全国太...

年份

  • 1篇2025
  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 7篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种太赫兹偏振调控器件及其制作方法
本发明公开了一种太赫兹偏振调控器件，所述太赫兹偏振调控器件包括介电超结构和衬底；所述介电超结构为全介质材料的介电超结构，所述介电超结构包括周期性分布的柱状介电单元；所述柱状介电单元的长轴长度与待调整太赫兹波长的比值处于第...
王大承谭为孙松冯正
文献传递
一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器
本发明公开了一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器，其具体结构包括：铁磁纳米层/LaAlO<Sub>3</Sub>纳米层/SrTiO<Sub>3</Sub>衬底/底电极，LaAlO<Sub>3</Sub>纳米层和SrTiO...
冯正王大承谭为
文献传递
一种高频芯片的低损耗互连工艺方法
本发明公开了一种高频芯片的低损耗互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法采用MEMS微加工工艺技术实现高频芯片焊盘间的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，降低寄生效应引入的损耗，提高器件的频率特性；且互连金属尺寸...
苏娟郑英彬刘清锋刘杰康小克冯正谭为邓贤进张健
文献传递
介质-金属光子晶体、其制备方法和太赫兹脉冲发生器
本发明提供了一种介质‑金属光子晶体、其制备方法和太赫兹脉冲发生器，所述介质‑金属光子晶体具有下式所示的多层复合结构：[介质层/金属层]<Sub>n</Sub>/绝缘衬底；其中，n为1～10之间的整数；所述金属层为磁性纳米...
冯正王大承谭为
文献传递
一种高频芯片波导封装的倒装互连工艺方法
本发明公开了一种高频芯片波导封装的倒装互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法基于倒装焊技术，通过芯片或互连载片倒装焊接的方式，配合相应的MEMS微加工工艺技术实现高频固态集成放大器模块波导封装的金属互连，可缩短...
苏娟刘杰刘清锋周林康小克冯正谭为邓贤进张健
一种基于交换偏置磁场的太赫兹波发生器
本发明公开了一种基于交换偏置磁场的太赫兹波发生器，利用交换偏置多层膜中铁磁/非磁薄膜和/或铁磁/反铁磁薄膜的超快自旋流注入与逆自旋霍尔效应产生太赫兹波。同时利用铁磁/反铁磁薄膜的交换偏置效应产生的交换偏置磁场，固定钉扎铁...
冯正谭为王大承
文献传递
太赫兹微系统研究进展-从材料到器件
太赫兹微系统技术是太赫兹技术和集成微系统技术的深度融合，基于不同材料体系半导体技术的多样性和独特性，深入到器件(二极管、晶体管等)层级追求极限性能表现，采用深度定制"材料一器件一集成微系统"的技术路线，实现优异性能和多功...
谭为苏娟曾建平童小东王大承冯正
关键词：半导体材料
轻金属Cr薄膜的逆轨道霍尔效应
2025年
轻金属材料Cr具有较大的轨道霍尔电导,并且不依赖强自旋-轨道耦合即可实现高效的电荷流-轨道流转换,这些优点在自旋电子领域具有重要的应用前景,有助于开发新型的轨道-自旋电子器件.本研究采用磁控溅射的方法在A1_(2)O_(3)衬底上制备了Cr薄膜和Cr/Ni异质结.通过太赫兹发射谱测量观察到Cr中的逆轨道霍尔效应.在Cr/Ni异质结中由铁磁层Ni中自旋-轨道耦合所产生的轨道流通过Cr的逆轨道霍尔效应转换为电荷流.此外,研究了太赫兹信号对Ni层厚度的依赖性,Ni厚度的增加显著地提高了自旋流-轨道流的转换效率,增强了轨道太赫兹发射信号.Cr的逆轨道霍尔效应为轨道-自旋电子器件的设计与性能调控提供了新的研究思路.
陈锋王平王平何康冯正冯正
关键词：太赫兹
二维磁场探针台测量系统
本发明属于物理及半导体测量技术领域，具体为二维磁场探针台测量系统。测量系统包括基座、二维磁场电磁铁、置于电磁铁磁极中央并固定于基座上的载物台卡盘、探针平台和显微测量装置，探针平台中间开口，沿开口环绕放置有若干直流、高频探...
冯正刘清锋岑冀娜苏娟谭为成彬彬吕立明邓贤进张健
一种超宽带太赫兹脉冲探测器及探测系统
本发明公开了一种超宽带太赫兹脉冲探测器及探测系统，本发明属于太赫兹光谱探测技术领域，本发明提出的太赫兹脉冲探测器采用具有强自旋霍尔效应和/或强轨道霍尔效应的单层金属薄膜，当太赫兹脉冲照射到探测器上时，其在金属薄膜中诱导出...
冯正谭为孙松何康
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