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关旭东

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇氧化物半导体
  • 4篇氧化物薄膜
  • 4篇金属氧化物半...
  • 4篇金属氧化物薄...
  • 4篇半导体
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜版
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇栅结构
  • 2篇自对准
  • 2篇阈值电压
  • 2篇晶体管
  • 2篇寄生效应
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 2篇玻璃衬底
  • 2篇衬底

机构

  • 4篇北京大学

作者

  • 4篇王漪
  • 4篇李绍娟
  • 4篇关旭东
  • 4篇韩汝琦
  • 4篇孙雷
  • 4篇张盛东

年份

  • 2篇2010
  • 2篇2009
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。该晶体管为底栅结构，包括一栅电极，一栅介质层，一沟道区，一源区和一漏区，所述源区和漏区分别在沟道区两端并与沟道区相连，且源漏区与沟道区为同一层金属氧化物半导体薄膜，未偏置...
张盛东李绍娟王漪孙雷关旭东韩汝琦
文献传递
一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
本发明提供了一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，先在玻璃衬底上依次形成金属源漏区、金属氧化物半导体沟道区和透明栅介质层后，在栅介质层上涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，显影并坚膜，然后带胶生长一层导...
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一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
本发明提供了一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，先在玻璃衬底上依次形成金属源漏区、金属氧化物半导体沟道区和透明栅介质层后，在栅介质层上涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，显影并坚膜，然后带胶生长一层导...
张盛东李绍娟王漪孙雷关旭东韩汝琦
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一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。该晶体管为底栅结构，包括一栅电极，一栅介质层，一沟道区，一源区和一漏区，所述源区和漏区分别在沟道区两端并与沟道区相连，且源漏区与沟道区为同一层金属氧化物半导体薄膜，未偏置...
张盛东李绍娟王漪孙雷关旭东韩汝琦
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