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韩汝琦

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 11篇半导体
  • 9篇晶体管
  • 6篇氧化物薄膜
  • 6篇金属氧化物薄...
  • 6篇衬底
  • 5篇沟道
  • 4篇电路
  • 4篇掩膜
  • 4篇氧化物半导体
  • 4篇载流子
  • 4篇载流子浓度
  • 4篇自对准
  • 4篇阈值电压
  • 4篇金属氧化物半...
  • 4篇集成电路
  • 4篇沟道效应
  • 4篇半导体集成
  • 4篇半导体集成电...
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管

机构

  • 21篇北京大学

作者

  • 21篇韩汝琦
  • 16篇张盛东
  • 8篇王漪
  • 6篇韩德栋
  • 5篇李绍娟
  • 5篇王新安
  • 5篇康晋锋
  • 5篇孙雷
  • 4篇关旭东
  • 3篇黄如
  • 3篇张兴
  • 2篇贺鑫
  • 2篇廖聪维
  • 2篇杜刚
  • 2篇王阳元
  • 2篇杨竞峰
  • 2篇李惟芬
  • 1篇唐浩
  • 1篇刘力锋

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 7篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2006
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种FinFET晶体管的制作方法
本发明公开了一种FinFET晶体管制作方法，包括：在衬底上生成一介质条，以介质条为掩膜进行离子注入使其在衬底表面形成非晶层；在衬底上生成覆盖介质条的非晶半导体层，并将其进行热退火处理再结晶成单晶半导体层；对预设计为源漏区...
张盛东韩汝琦韩德栋
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一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
本发明提供了一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，先在玻璃衬底上依次形成金属源漏区、金属氧化物半导体沟道区和透明栅介质层后，在栅介质层上涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，显影并坚膜，然后带胶生长一层导...
张盛东李绍娟王漪孙雷关旭东韩汝琦
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非挥发性存储器器件结构
本发明提供一种非挥发性存储器器件结构，属于半导体集成电路器件设计及制造技术领域。该结构包括位于衬底之上隧穿氧化层、位于隧穿氧化层之上的衬底阻挡层、位于衬底阻挡层之上的陷阱电荷存储层、位于陷阱电荷存储层之上的栅阻挡层以及位...
康晋锋杨竞峰刘晓彦张兴王新安韩汝琦王阳元
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一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
本发明提供了一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，先在玻璃衬底上依次形成金属源漏区、金属氧化物半导体沟道区和透明栅介质层后，在栅介质层上涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，显影并坚膜，然后带胶生长一层导...
张盛东李绍娟王漪孙雷关旭东韩汝琦
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铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法
本发明提供一种铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法，属于半导体集成电路设计和制造技术领域。该方法在对选中单元进行编程操作的过程中，对非选中单元的字线、位线和源线都施加禁止编程电压，使实现单管单元阵列结构可加的编程电压...
康晋锋李惟芬刘晓彦杜刚韩汝琦王新安
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一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。该晶体管为底栅结构，包括一栅电极，一栅介质层，一沟道区，一源区和一漏区，所述源区和漏区分别在沟道区两端并与沟道区相连，且源漏区与沟道区为同一层金属氧化物半导体薄膜，未偏置...
张盛东李绍娟王漪孙雷关旭东韩汝琦
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一种自对准薄膜晶体管的制作方法
本发明公开了一种自对准金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，通过先生成具有高载流子浓度的有源层，然后将与栅电极形成自对准的沟道区通过具有氧化功能的等离子体进行氧化处理，使源漏区具有高的载流子浓度，沟道区具有低的载流子浓度的同时...
张盛东贺鑫王漪韩德栋韩汝琦
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非挥发性存储器器件结构
本发明提供一种非挥发性存储器器件结构，属于半导体集成电路器件设计及制造技术领域。该结构包括位于衬底之上隧穿氧化层、位于隧穿氧化层之上的衬底阻挡层、位于衬底阻挡层之上的类浮栅电荷存储层、位于类浮栅电荷存储层之上的栅阻挡层以...
康晋锋杨竞峰刘晓彦张兴王新安韩汝琦王阳元
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一种部分耗尽的绝缘层上硅MOS晶体管的制作方法
本发明公开了一种PD SOI MOS晶体管的制作方法，包括在SOI硅片上定义有源区并形成栅电极后进行掺杂的过程，该过程包括：A.以栅电极为掩膜进行倾斜离子注入，注入的杂质类型为与SOI硅片硅膜层内本底杂质类型相同的第一类...
张盛东廖聪维韩汝琦
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一种薄膜晶体管的制作方法
本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，通过先生成具有高载流子浓度的有源层，然后将沟道区通过具有氧化功能的等离子体进行氧化处理，在保持源漏区具有高的载流子浓度的同时，使沟道区具有低的载流子浓度；另外，晶体管的阈值...
张盛东贺鑫王漪韩德栋韩汝琦
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