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李绍娟

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 4篇氧化物半导体
  • 4篇氧化物薄膜
  • 4篇金属氧化物半...
  • 4篇金属氧化物薄...
  • 4篇晶体管
  • 4篇半导体
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管
  • 3篇自对准
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜版
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇栅结构
  • 2篇阈值电压
  • 2篇寄生效应
  • 2篇沟道
  • 2篇玻璃衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇短路

机构

  • 6篇北京大学

作者

  • 6篇王漪
  • 6篇李绍娟
  • 6篇孙雷
  • 6篇张盛东
  • 5篇韩汝琦
  • 4篇关旭东

年份

  • 2篇2010
  • 4篇2009
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种薄膜晶体管及其制作方法、图像显示装置
本发明公开了一种薄膜晶体管，包括设置在衬底上的栅电极、沟道层、源区和漏区，所述沟道层形成于所述栅电极的上方，所述沟道层在沟道长度方向上的尺寸小于栅电极同方向的长度并处于所述栅电极长度的覆盖范围之内，所述源区和漏区形成于所...
张盛东李绍娟王漪孙雷
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一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。该晶体管为底栅结构，包括一栅电极，一栅介质层，一沟道区，一源区和一漏区，所述源区和漏区分别在沟道区两端并与沟道区相连，且源漏区与沟道区为同一层金属氧化物半导体薄膜，未偏置...
张盛东李绍娟王漪孙雷关旭东韩汝琦
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一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
本发明提供了一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，先在玻璃衬底上依次形成金属源漏区、金属氧化物半导体沟道区和透明栅介质层后，在栅介质层上涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，显影并坚膜，然后带胶生长一层导...
张盛东李绍娟王漪孙雷关旭东韩汝琦
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一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
本发明提供了一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，先在玻璃衬底上依次形成金属源漏区、金属氧化物半导体沟道区和透明栅介质层后，在栅介质层上涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，显影并坚膜，然后带胶生长一层导...
张盛东李绍娟王漪孙雷关旭东韩汝琦
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一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。该晶体管为底栅结构，包括一栅电极，一栅介质层，一沟道区，一源区和一漏区，所述源区和漏区分别在沟道区两端并与沟道区相连，且源漏区与沟道区为同一层金属氧化物半导体薄膜，未偏置...
张盛东李绍娟王漪孙雷关旭东韩汝琦
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一种薄膜晶体管及图像显示装置的制作方法
本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成栅电极；在栅电极的上方形成沟道层以及夹持在所述沟道层两侧且与栅电极绝缘的源区和漏区，所述沟道层的形成是利用已形成的栅电极作为掩模图形的自对准光刻方法实现的。...
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