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杨锐

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇双极
  • 6篇晶体管
  • 6篇互连
  • 6篇互连线
  • 6篇发射区
  • 6篇感应电
  • 6篇感应电荷
  • 4篇外延层
  • 3篇NPN晶体管
  • 3篇PNP晶体管
  • 2篇集电区

机构

  • 6篇杭州士兰集成...

作者

  • 6篇何金祥
  • 6篇张佼佼
  • 6篇杨锐
  • 6篇李小锋

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
双极PNP晶体管及其制造方法
本发明提供了一种双极PNP晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
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双极PNP晶体管
本实用新型提供了一种双极PNP晶体管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变介质层上...
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双极NPN晶体管及其制造方法
本发明提供了一种双极NPN晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于第一层间介质层和电压调变介质层上的第一...
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双极NPN晶体管及其制造方法
本发明提供了一种双极NPN晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于第一层间介质层和电压调变介质层上的第一...
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双极NPN晶体管
本实用新型提供了一种双极NPN晶体管，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于第一层间介质层和电压调变介质层上的第一互连线；...
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双极PNP晶体管及其制造方法
本发明提供了一种双极PNP晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变...
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