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韩健

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰微电子股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇高压器件
  • 6篇隔离区
  • 6篇BIPOLA...
  • 6篇场区
  • 3篇氮化硅
  • 3篇氮化硅薄膜
  • 3篇钝化层
  • 3篇外延层
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇掺杂
  • 1篇电流
  • 1篇输出电流
  • 1篇计算方法
  • 1篇功率
  • 1篇分立器件
  • 1篇封装
  • 1篇TO封装

机构

  • 7篇杭州士兰微电...
  • 6篇杭州士兰集成...

作者

  • 7篇韩健
  • 6篇李小锋

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2014
  • 4篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
Bipolar低压工艺中耐高压器件及其制造方法
本发明提供一种Bipolar低压工艺中耐高压器件及其制造方法，通过在Bipolar低压工艺中耐高压器件中，在环绕所述集电区的上隔离区上形成掺杂浓度低的轻掺杂区，所述地极引线的宽度大于所述轻掺杂区的宽度，所述轻掺杂区朝向所...
李小锋韩健张佼佼王铎
Bipolar低压工艺中耐高压器件及其制造方法
本发明提供一种Bipolar低压工艺中耐高压器件及其制造方法，通过在Bipolar低压工艺中耐高压器件中，在环绕所述集电区的上隔离区上形成掺杂浓度低的轻掺杂区，所述地极引线的宽度大于所述轻掺杂区的宽度，所述轻掺杂区朝向所...
李小锋韩健张佼佼王铎
文献传递
采用Bipolar低压工艺实现的器件及其制造方法
本发明提供一种采用Bipolar低压工艺实现的器件及其制造方法，通过在耐高压器件区域中形成轻掺杂区，轻掺杂区朝向所述集电区的一侧超出所述上隔离区一定宽度，地极引线朝向所述集电区的一侧超出所述轻掺杂区一定宽度，避免了器件在...
李小锋韩健张佼佼王铎
文献传递
采用Bipolar低压工艺实现的器件
本实用新型提供一种采用Bipolar低压工艺实现的器件，通过在耐高压器件区域中形成轻掺杂区，轻掺杂区朝向所述集电区的一侧超出所述上隔离区一定宽度，地极引线朝向所述集电区的一侧超出所述轻掺杂区一定宽度，避免了器件在高压工作...
李小锋韩健张佼佼王铎
文献传递
Bipolar低压工艺中耐高压器件
本实用新型提供一种Bipolar低压工艺中耐高压器件，通过在Bipolar低压工艺中耐高压器件中，在环绕所述集电区的上隔离区上形成掺杂浓度低的轻掺杂区，所述地极引线的宽度大于所述轻掺杂区的宽度，所述轻掺杂区朝向所述集电区...
李小锋韩健张佼佼王铎
文献传递
采用Bipolar低压工艺实现的器件及其制造方法
本发明提供一种采用Bipolar低压工艺实现的器件及其制造方法，通过在耐高压器件区域中形成轻掺杂区，轻掺杂区朝向所述集电区的一侧超出所述上隔离区一定宽度，地极引线朝向所述集电区的一侧超出所述轻掺杂区一定宽度，避免了器件在...
李小锋韩健张佼佼王铎
一种功率分立器件最大输出电流的计算方法
2019年
基于MATLAB数值计算工具,以典型的TO封装IGBT器件为研究对象,从规格书的测试曲线中获得拟合参数,建立了频率与最大输出电流关系的计算模型,结果显示:结壳稳态热阻值对最大输出电流的计算结果具有明显影响,使用实测结壳稳态热阻所计算出的最大输出电流与规格书的测试数据具有较好的吻合,最大误差约为8%。
袁嘉隆夏姚忠胡一峰柯攀韩健
关键词：TO封装输出电流
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共1页<1>
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