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陈元金

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇氮化硅
  • 4篇氮化硅薄膜
  • 4篇电路
  • 4篇淀积
  • 4篇氧化硅薄膜
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇硅基
  • 4篇硅基底
  • 3篇套刻
  • 3篇线宽
  • 3篇接触孔
  • 3篇功率器件
  • 3篇沟槽
  • 3篇BIPOLA...
  • 2篇磷烷
  • 2篇刻蚀
  • 1篇双极电路

机构

  • 7篇杭州士兰集成...

作者

  • 7篇陈元金
  • 5篇杨彦涛
  • 4篇李小锋
  • 3篇陈文伟
  • 3篇李庆华
  • 3篇夏志平
  • 2篇吕艳欣
  • 2篇刘琛
  • 2篇张佼佼

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
双极电路的一种引线孔结构及制造方法
双极电路的一种引线孔结构制造方法为：(1)在设有极区的硅基底上形成底层氧化硅薄膜层；(2)在底层氧化硅薄膜层上淀积形成顶层氧化硅薄膜层；(3)在顶层氧化硅薄膜层上淀积氮化硅薄膜层；(4)对氮化硅薄膜的预刻蚀区域进行光刻、...
李小锋陈元金杨彦涛张佼佼
文献传递
Bipolar电路的多层复合钝化层结构及其生成工艺方法
本发明提供了Bipolar电路的多层复合钝化膜结构包括淀积在硅基底表面的底层氧化硅薄膜层和淀积在该氧化硅薄膜层上的氮化硅薄膜层，所述的氧化硅薄膜层中掺有一定比例的磷烷，氧化硅薄膜层依次为不掺杂的二氧化硅层、掺杂的磷硅玻璃...
刘琛李小锋吕艳欣陈元金
文献传递
Bipolar电路的一种引线孔结构及制造方法
Bipolar电路的引线孔结构制造方法为：(1)在设有极区的硅基底上形成底层氧化硅薄膜层；(2)在底层氧化硅薄膜层上淀积形成顶层氧化硅薄膜层；(3)在顶层氧化硅薄膜层上淀积氮化硅薄膜层；(4)对氮化硅薄膜的预刻蚀区域进行...
李小锋陈元金杨彦涛张佼佼
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再淀积第一阻止层定义出接触孔在半导体...
杨彦涛夏志平陈元金陈文伟李庆华
文献传递
沟槽功率器件
本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再淀积第一阻止层定义出接触孔在半导体衬底表面的最...
杨彦涛夏志平陈元金陈文伟李庆华
文献传递
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再淀积第一阻止层定义出接触孔在半导体...
杨彦涛夏志平陈元金陈文伟李庆华
Bipolar电路的多层复合钝化层结构及其生成工艺方法
本发明提供了Bipolar电路的多层复合钝化膜结构包括淀积在硅基底表面的底层氧化硅薄膜层和淀积在该氧化硅薄膜层上的氮化硅薄膜层，所述的氧化硅薄膜层中掺有一定比例的磷烷，氧化硅薄膜层依次为不掺杂的二氧化硅层、掺杂的磷硅玻璃...
刘琛李小锋吕艳欣陈元金
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