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李庆华

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇淀积
  • 3篇套刻
  • 3篇线宽
  • 3篇接触孔
  • 3篇功率器件
  • 3篇沟槽

机构

  • 3篇杭州士兰集成...

作者

  • 3篇陈文伟
  • 3篇陈元金
  • 3篇李庆华
  • 3篇夏志平
  • 3篇杨彦涛

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再淀积第一阻止层定义出接触孔在半导体...
杨彦涛夏志平陈元金陈文伟李庆华
文献传递
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再淀积第一阻止层定义出接触孔在半导体...
杨彦涛夏志平陈元金陈文伟李庆华
沟槽功率器件
本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再淀积第一阻止层定义出接触孔在半导体衬底表面的最...
杨彦涛夏志平陈元金陈文伟李庆华
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