您的位置： 专家智库 > >

曹俊

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 9篇外延层
  • 8篇沟道
  • 6篇耗尽型
  • 6篇半导体
  • 5篇掩膜
  • 5篇离子注入
  • 5篇掺杂
  • 4篇功率器件
  • 3篇退火
  • 3篇阻挡层
  • 3篇静电
  • 3篇功率MOSF...
  • 3篇功率半导体
  • 3篇功率半导体器...
  • 3篇沟槽
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻胶
  • 3篇过渡区
  • 3篇反向恢复
  • 3篇半导体器件

机构

  • 16篇杭州士兰集成...

作者

  • 16篇曹俊
  • 13篇赵金波
  • 8篇王维建
  • 6篇王珏
  • 5篇王平
  • 5篇杨彦涛
  • 3篇向璐

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2013
  • 2篇2012
共 16 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
耗尽型MOSFET的制造方法
本发明公开了提供一种耗尽型MOSFET的制造方法，包括：提供一第一掺杂类型的掺杂衬底；在所述衬底的一面上形成第一掺杂类型的外延层；在所述外延层上形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜进行第一次离子注入，在所述外延层内形成...
赵金波王维建曹俊
文献传递
功率半导体器件
本申请公开了功率半导体器件。所述功率半导体器件包括：位于半导体衬底的第一表面上的外延层，半导体衬底的第一表面附近具有第一掺杂浓度且第二表面附近具有第三掺杂浓度，第二表面与第一表面彼此相对，外延层具有第二掺杂浓度；位于半导...
赵金波曹俊张邵华王平闻永祥顾悦吉王珏
文献传递
功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成外延层，半导体衬底和外延层均为第一掺杂类型且分别具有第一掺杂浓度和第二掺杂浓度；在外延层上形成栅叠层，栅叠层包括栅介质层和栅极导体，栅介质...
赵金波曹俊张邵华王平闻永祥顾悦吉王珏
N沟道耗尽型功率MOSFET器件
本实用新型提供一种N沟道耗尽型功率MOSFET器件，包括半导体衬底和位于其上的外延层，所述外延层包括分压环形成区和有源区；栅极，形成于所述有源区上；P型阱区，形成于在所述栅极之间的有源区中；P型接触区和P型接触区旁的源区...
闻永祥赵金波王维建曹俊
文献传递
耗尽型VDMOS
本实用新型公开了提供一种耗尽型VDMOS，其中耗尽型VDMOS包括：一第一掺杂类型的掺杂衬底；形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的至少两个第二掺杂类型的深阱；以及形成于每个所述深阱两侧的两个第...
赵金波王维建曹俊
文献传递
一种平面栅功率器件结构及其形成方法
本发明提供了一种平面栅功率器件结构及其形成方法，通过光刻和刻蚀工艺形成接触孔后，先进行P型区注入以及退火工艺形成P型区，再刻蚀接触孔侧壁的掩蔽层，暴露出N型区的上表面，即可实现N型区的平面横向接触，保证N型区的接触面积，...
杨彦涛王平赵金波曹俊苑羽中
文献传递
耗尽型VDMOS及其制造方法
本发明公开了提供一种耗尽型VDMOS及其制造方法，其中耗尽型VDMOS包括：一第一掺杂类型的掺杂衬底；形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的至少两个第二掺杂类型的深阱；以及形成于每个所述深阱两侧...
赵金波王维建曹俊
文献传递
功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成外延层，半导体衬底和外延层均为第一掺杂类型且分别具有第一掺杂浓度和第二掺杂浓度；在外延层上形成栅叠层，栅叠层包括栅介质层和栅极导体，栅介质...
赵金波曹俊张邵华王平闻永祥顾悦吉王珏
文献传递
一种平面栅功率器件
本实用新型提供了一种平面栅功率器件，通过光刻和刻蚀工艺形成接触孔后，先进行P型区注入以及退火工艺形成P型区，再刻蚀接触孔侧壁的掩蔽层，暴露出N型区的上表面，即可实现N型区的平面横向接触，保证N型区的接触面积，避免导通电阻...
杨彦涛王平赵金波曹俊苑羽中
文献传递
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽，并将第一阻止层、填充材料层设置于所述第一沟槽中，并在第一沟槽的填充材料层中形成静电隔离结构，进而实现了静电隔...
杨彦涛向璐王珏曹俊吕焕秀
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0