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王维建

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 8篇外延层
  • 8篇沟道
  • 7篇离子注入
  • 6篇耗尽型
  • 5篇导体
  • 5篇叠层
  • 5篇掩膜
  • 5篇栅极
  • 5篇退火
  • 5篇屏蔽导体
  • 5篇隔离层
  • 5篇功率半导体
  • 5篇功率半导体器...
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体器件
  • 3篇功率MOSF...
  • 3篇反向恢复
  • 3篇N沟道
  • 3篇VDMOS
  • 2篇导通

机构

  • 17篇杭州士兰集成...

作者

  • 17篇王维建
  • 12篇赵金波
  • 8篇曹俊
  • 5篇夏志平
  • 5篇杨彦涛

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
N沟道耗尽型功率MOSFET器件
本实用新型提供一种N沟道耗尽型功率MOSFET器件，包括半导体衬底和位于其上的外延层，所述外延层包括分压环形成区和有源区；栅极，形成于所述有源区上；P型阱区，形成于在所述栅极之间的有源区中；P型接触区和P型接触区旁的源区...
闻永祥赵金波王维建曹俊
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耗尽型VDMOS
本实用新型公开了提供一种耗尽型VDMOS，其中耗尽型VDMOS包括：一第一掺杂类型的掺杂衬底；形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的至少两个第二掺杂类型的深阱；以及形成于每个所述深阱两侧的两个第...
赵金波王维建曹俊
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功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在多个沟槽的侧壁和底部上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第二绝缘层；形成填充所述沟槽底部的隔离层；在所述隔离层上方形成填充所...
杨彦涛夏志平王维建
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高压超结MOSFET结构及P型漂移区形成方法
本发明提出一种高压超结MOSFET的P型漂移区形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上生长第一N型外延层；向所述第一N型外延层进行硼离子注入，形成硼注入区；在已注入离子的第一N型外延层上由下至上依次生长...
赵金波王维建闻永祥
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功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在多个沟槽的侧壁和底部上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第二绝缘层；在所述多个沟槽中填充屏蔽导体；在所述多个沟槽的上部形成位...
杨彦涛夏志平王维建
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耗尽型MOSFET的制造方法
本发明公开了提供一种耗尽型MOSFET的制造方法，包括：提供一第一掺杂类型的掺杂衬底；在所述衬底的一面上形成第一掺杂类型的外延层；在所述外延层上形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜进行第一次离子注入，在所述外延层内形成...
赵金波王维建曹俊
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功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在多个沟槽的侧壁和底部上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第二绝缘层；在所述多个沟槽中填充屏蔽导体；在所述多个沟槽的上部形成位...
杨彦涛夏志平王维建
一种MOSFET功率器件减小导通电阻RDS(on)的工艺方法
本发明公开了一种MOSFET功率器件减小导通电阻RDS(on)的工艺方法，该方法包括A和B两种技术方案，所述的方法包括选择重掺杂N型衬底，生长轻惨杂N外延层、做磷注入、高温退火，在外延层表面形成一定结深的浓N型区、在外延...
赵金波王维建闻永祥
N沟道耗尽型功率MOSFET器件及制造方法
本发明提供一种N沟道耗尽型功率MOSFET器件及制造方法，所述制造方法包括，进行离子注入和退火工艺，以在所述栅极之间的有源区中形成P型阱区，并且在进行离子注入和退火工艺的步骤之间，进行氧化工艺；以及进行电子辐照工艺，以在...
闻永祥赵金波王维建曹俊
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耗尽型MOSFET
本实用新型提供一种耗尽型MOSFET，其中耗尽型MOSFET包括：一第一掺杂类型的掺杂衬底；形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的第二掺杂类型的深阱；以及形成于每个所述深阱中部的第一掺杂类型的离...
赵金波王维建曹俊
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