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王珏

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 13篇半导体
  • 10篇半导体器件
  • 6篇功率半导体
  • 6篇功率半导体器...
  • 5篇导体
  • 5篇集电区
  • 5篇发射区
  • 4篇损耗
  • 3篇电极
  • 3篇预处理
  • 3篇栅极
  • 3篇栅结构
  • 3篇缺陷层
  • 3篇阻挡层
  • 3篇外延层
  • 3篇鲁棒
  • 3篇静电
  • 3篇开关损耗
  • 3篇功率器件
  • 3篇沟槽

机构

  • 17篇杭州士兰集成...

作者

  • 17篇王珏
  • 13篇杨彦涛
  • 6篇曹俊
  • 6篇陈琛
  • 3篇韩健
  • 3篇王平
  • 3篇赵金波
  • 3篇向璐
  • 1篇黄示

年份

  • 3篇2023
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
沟槽栅型IGBT器件
本实用新型提供了一种沟槽栅型IGBT器件，该器件包括：N型掺杂的漂移区；P型掺杂的集电区，与漂移区的背面直接或间接地电接触；P型掺杂的基区，与漂移区的正面直接或间接地电接触；第一沟槽栅结构，由基区的表面沿Z方向纵向延伸至...
顾悦吉杨彦涛韩健王珏
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功率半导体器件
本申请公开了功率半导体器件。所述功率半导体器件包括：位于半导体衬底的第一表面上的外延层，半导体衬底的第一表面附近具有第一掺杂浓度且第二表面附近具有第三掺杂浓度，第二表面与第一表面彼此相对，外延层具有第二掺杂浓度；位于半导...
赵金波曹俊张邵华王平闻永祥顾悦吉王珏
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功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成外延层，半导体衬底和外延层均为第一掺杂类型且分别具有第一掺杂浓度和第二掺杂浓度；在外延层上形成栅叠层，栅叠层包括栅介质层和栅极导体，栅介质...
赵金波曹俊张邵华王平闻永祥顾悦吉王珏
半导体器件
公开了半导体器件。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底的第一表面形成阱区，半导体衬底和阱区分别为彼此相反的第一掺杂类型和第二掺杂类型；在阱区上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅导体层；在阱区中形成第二掺杂类型的基区；...
顾悦吉王珏杨彦涛陈琛
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半导体器件及其制造方法
公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底的第一表面形成阱区，半导体衬底和阱区分别为彼此相反的第一掺杂类型和第二掺杂类型；在阱区上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅导体层；在阱区中形成第二掺杂...
顾悦吉王珏杨彦涛陈琛
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半导体器件制作方法
本发明提供了一种半导体器件制作方法，对硅衬底的背面进行离子辐照处理，以提升半导体器件的阳极杂质的激活率，改善半导体器件的导通压降，降低其导通损耗；并且，通过该离子辐照处理，硅衬底经退火后可以在体内形成额外的复合中心，减少...
顾悦吉王珏杨彦涛黄示
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沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽，并将第一阻止层、填充材料层设置于所述第一沟槽中，并在第一沟槽的填充材料层中形成静电隔离结构，进而实现了静电隔...
杨彦涛向璐王珏曹俊吕焕秀
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功率半导体器件及其制造方法
公开了功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件包括位于沟槽中的分离栅结构。所述分离栅结构包括彼此隔开的第一栅极导体、第二栅极导体和第三栅极导体，所述第一栅极导体的第一部分位于所述沟槽的上部并且夹在所述第二栅极导体和...
顾悦吉杨彦涛陈琛王珏
一种具有清洗装置的硅片加工设备
本实用新型提出了一种硅片加工设备，硅片加工设备包括工件盘和用于清洁工件盘的清洗装置，工件盘具有一个安放硅片的平坦表面和一个转轴以使工件盘旋转，清洗装置包括：刷盘，刷盘具有设置刷毛的清洁面，支架，支架的近端具有连接到硅片加...
王珏黄早铭封国齐
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功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成外延层，半导体衬底和外延层均为第一掺杂类型且分别具有第一掺杂浓度和第二掺杂浓度；在外延层上形成栅叠层，栅叠层包括栅介质层和栅极导体，栅介质...
赵金波曹俊张邵华王平闻永祥顾悦吉王珏
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