聂圆燕
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用于SOI工艺的Ti/TiN/Al技术研究
- 从理论上分析了当采用Ti 40nm+400℃ Al 450nm作为SOI流程的金属膜层时，器件参数异常甚至失效的原因，并通过实验验证了理论分析的正确性。在对实验数据进行对比分析后，得出了作为SOI流程的金属膜层的最佳结构...
- 聂圆燕陈海峰赵文彬
- 关键词：SOI工艺漏电固溶度
- 文献传递
- RTP工艺监控研究
- 详细介绍了两种监控RTP设备的方法，分别研究了两种方法的基本原理，通过对两种方法所得结果的详细比较与分析，得出离子注入退火的方法有较好的重复性，在低温段(760～850度)退火后方块电阻和温度有良好的线性关系(R=-0....
- 张世权陈海峰聂圆燕
- 文献传递
- 芯片制造过程中的电化学侵蚀控制
- 2010年
- 芯片金属键合孔上的电化学侵蚀会引起封装时键合接触不好等问题,因此在芯片加工时消除电化学侵蚀非常重要。文章通过一个解决侵蚀斑问题的案例,找到了引起侵蚀斑的根本原因和有效的解决方法,阐述了电化学侵蚀反应的理论模型。通过严控冲水后和甩干工艺间的间隔时间可以彻底解决由于湿法清洗工艺引起的电化学腐蚀。
- 聂圆燕郭晶磊陈海峰
- 关键词：势差
- WSI Polycide工艺的研究被引量：2
- 2012年
- 文章基于0.5μm CMOS工艺,研究了造成Polycide工艺中WSI剥落、色斑等异常现象的原因。同时,研究了WSI淀积前清洗、退火温度及Cap Layer层对WSI薄膜翘曲度及应力的影响,并通过实验优化,以大量的数据为依据,对影响WSI薄膜特性的工艺参数进行调试和论证,主要考察更改各条件对圆片翘曲度及应力的变化,并通过显微镜镜检圆片表面,获得了0.5μm Polycide工艺较优的工艺条件。实验结果表明,在WSI淀积后增加Cap Layer层工艺对Polycide工艺工期WSI剥落、色斑等异常有较好的改善作用,且圆片表面形貌能达到MOS器件的工艺制造要求。
- 朱赛宁聂圆燕陈海峰
- 关键词：WSICAP应力
