李将录
- 作品数：15 被引量：25H指数：3
- 供职机构：哈尔滨师范大学更多>>
- 发文基金：黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- 半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置
- 半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，属于半导体热电致冷材料电学性能测试领域。解决了生产过程中对半导体热电致冷材料的电学性能进行测试的过程复杂和破坏测试样品完整性的问题。升降式四相滑动端子包括4个输入端和4个输出端；数...
- 胡建民李理王月媛曲秀荣秦兆慧李将录
- 单片机在测量声速实验中的应用被引量：2
- 1995年
- 单片机在测量声速实验中的应用郭立群，李将录，万新（哈尔滨师范大学物理系１５００８０）（哈尔滨塑料十二厂）一、引言目前各级各类学校的普通物理实验课普遍开设声速测量实验．声速测量的一般方法有行波法、驻波法、共鸣法等间接测量方法．这些方法都很巧妙，但误差较...
- 郭立群李将录万新
- 关键词：声速测量微机应用
- 半导体热电材料温差电动势率的测试装置及测试方法
- 半导体热电材料温差电动势率的测试装置及测试方法，属于半导体热电材料热电性能测试领域。本发明是为了解决现有的半导体热电材料的温差电动势率测试过程繁琐、测试精度不高、测试效率低及测试系统复杂的问题。本发明通过对半导体热电材料...
- 胡建民李理王月媛李将录曲秀荣
- 文献传递
- 半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
- 一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和...
- 赵秀平李将录荣剑英赵洪安董兴才夏德勇
- 文献传递
- 在磁场中生长半导体致冷晶体
- 1991年
- 通常用区熔法生长的Te-Bi-Sb-Se致冷晶体,长期存在均匀性不好,容易解理等问题,严重影响半导体致冷器生产中的成品率和成品的使用寿命,为解决这些问题,我们采用在强磁场中区熔生长方法,在适当强度的磁场作用下,从晶体外观就可以看出,晶体解理面的平行度发生了变化,磁场使p型晶体材料抗压强度增大近一倍。
- 赵秀平董兴才李将录荣剑英赵洪安
- 关键词：磁场
- 大尺寸P型赝三元温差电取向晶体的研制被引量：10
- 1997年
- 大尺寸Ｐ型赝三元温差电取向晶体的研制荣剑英段福莲赵洪安吕长荣董兴才李将录赵秀平（哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨１５００８０）ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆＰｔｙｐｅＬａｒｇｅＳｉｚｅＰｓｅｕｄｏｔｅｒｎａｒｙＴｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃＯｒｉｅｎｔｅｄＣ...
- 荣剑英段福莲赵洪安吕长荣董兴才李将录赵秀平
- 关键词：P型半导体垂直区熔法晶体
- 大尺寸(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)晶体的生长及性能被引量：1
- 1997年
- 大尺寸（Ｂｉ２Ｔｅ３）０．９０（Ｓｂ２Ｔｅ３）０．０５（Ｓｂ２Ｓｅ３）０．０５晶体的生长及性能荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平（哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨１５００８０）ＧｒｏｗｔｈａｎｄＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＬａｒｇｅＳｉｚｅ（Ｂｉ２Ｔ...
- 荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平
- 关键词：N型半导体垂直区熔法晶体生长
- 温差电致冷原理及赝三元半导体致冷材料的性能
- 2000年
- 本文从温差电致冷原理出发 ,分析了哈师大物理系研制的大尺寸优质半导体致冷材料的主要温差电性能 .
- 吕长荣段福莲荣剑英李将录
- 大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能被引量：9
- 2002年
- 采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为 2 7mm的大尺寸P和N型Bi2 Te3 Sb2 Te3 Sb2 Se3 赝三元取向晶锭。并测试了其温差电性质 。
- 郎荣福荣剑英赵秀平李将录赵洪安
- 关键词：垂直区熔法
- 半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
- 一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和...
- 赵秀平李将录荣剑英赵洪安董兴才夏德勇
