赵秀平
- 作品数：14 被引量：28H指数：4
- 供职机构：哈尔滨师范大学物理与电子工程学院物理系更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 在磁场中生长半导体致冷晶体的研究
- 1994年
- 本文阐述了在磁场中生长B_(i2)T_(e3)——Sb_2T_(e3)——SbS_(e3)三元半导体致冷晶体的方法与设备,实验研究了晶体的强度,在理论上初步探讨了磁场在晶体生长中起的作用。
- 赵秀平梁丽新董兴木荣剑英赵洪安刘振茂
- 关键词：磁场半导体晶体生长
- 半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
- 一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和...
- 赵秀平李将录荣剑英赵洪安董兴才夏德勇
- 文献传递
- 半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究
- 1994年
- 试验研究了三种半导体致冷电对金属化系统的拉伸强度，其中铋─镍─锡金属化系统与半导体致冷材料粘接强度最高，超过原始棒状材料的拉伸强度，它是半导体致冷器电对的最好的金属化系统．
- 刘振茂赵秀平李志伟张国威权五云
- 关键词：粘接强度半导体
- 在磁场中生长半导体致冷晶体
- 1991年
- 通常用区熔法生长的Te-Bi-Sb-Se致冷晶体,长期存在均匀性不好,容易解理等问题,严重影响半导体致冷器生产中的成品率和成品的使用寿命,为解决这些问题,我们采用在强磁场中区熔生长方法,在适当强度的磁场作用下,从晶体外观就可以看出,晶体解理面的平行度发生了变化,磁场使p型晶体材料抗压强度增大近一倍。
- 赵秀平董兴才李将录荣剑英赵洪安
- 关键词：磁场
- 大尺寸P型赝三元温差电取向晶体的研制被引量：10
- 1997年
- 大尺寸Ｐ型赝三元温差电取向晶体的研制荣剑英段福莲赵洪安吕长荣董兴才李将录赵秀平（哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨１５００８０）ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆＰｔｙｐｅＬａｒｇｅＳｉｚｅＰｓｅｕｄｏｔｅｒｎａｒｙＴｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃＯｒｉｅｎｔｅｄＣ...
- 荣剑英段福莲赵洪安吕长荣董兴才李将录赵秀平
- 关键词：P型半导体垂直区熔法晶体
- 大尺寸(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)晶体的生长及性能被引量：1
- 1997年
- 大尺寸（Ｂｉ２Ｔｅ３）０．９０（Ｓｂ２Ｔｅ３）０．０５（Ｓｂ２Ｓｅ３）０．０５晶体的生长及性能荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平（哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨１５００８０）ＧｒｏｗｔｈａｎｄＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＬａｒｇｅＳｉｚｅ（Ｂｉ２Ｔ...
- 荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平
- 关键词：N型半导体垂直区熔法晶体生长
- 赝三元半导体致冷烧结材料致密性和强度的研究
- 1994年
- 研究了以高优值系数赝三元半导体致冷区熔生长晶体为原料,制作烧结体材料的工艺,确定出以颗粒度为74～297μm的晶体粉末,400MPa下冷压成型,在380℃～400℃条件下,经五小时烧结处理,获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。
- 李将禄张静捷赵秀平刘莲
- 关键词：致密性制冷材料
- 半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
- 一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和...
- 赵秀平李将录荣剑英赵洪安董兴才夏德勇
- 镍锡金属化半导体致冷器的电冲击试验研究被引量：2
- 1993年
- 报导了采用电冲击方法,试验比较了镍锡金属化层和普通锑铋合金金属化层用于半导体致冷器制造时产生的性能上的差别.试验结果表明,镍锡金属化层提高了致冷器的电性能和耐电、热冲击性能。
- 张国威赵秀平李志伟权五云刘振茂
- 关键词：半导体制冷器电冲击
- 赝三元半导体致冷材料的研究被引量：1
- 1993年
- 研究出高优值系数的P型和N型赝三元系Bi_2Te_3-Sb_2Te_3-Sb_2Se_3半导体致冷材料,在室温附近最高优值可达到3.2×10^(-3)/K以上。讨论了晶体结构特点和生长条件对材料温差电特性的影响。
- 赵秀平李将禄荣剑英董兴才赵洪安
- 关键词：半导体制冷材料
