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董兴才

作品数：9 被引量：21H指数：2
供职机构：哈尔滨师范大学物理与电子工程学院物理系更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇晶体
  • 5篇半导体
  • 3篇磁场
  • 2篇致冷
  • 2篇熔炼
  • 2篇区熔
  • 2篇晶体材料
  • 2篇半导体致冷
  • 2篇成品率
  • 2篇垂直区熔法
  • 2篇大尺寸
  • 1篇点缺陷
  • 1篇制冷
  • 1篇制冷材料
  • 1篇天线
  • 1篇配位
  • 1篇配位数
  • 1篇微波
  • 1篇温差电
  • 1篇晶体生长

机构

  • 9篇哈尔滨师范大...

作者

  • 9篇董兴才
  • 8篇荣剑英
  • 7篇赵秀平
  • 7篇赵洪安
  • 6篇李将录
  • 2篇段福莲
  • 2篇夏德勇
  • 1篇李将禄

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 3篇哈尔滨师范大...

年份

  • 2篇1997
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1990
  • 1篇1989
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
晶体点缺陷的定向跳跃率和跳离跳跃率
1990年
本文区分了晶体点缺陷的定向跳跃率与跳离跳跃率这两个概念,并且由此讨论了点缺陷的运动与复合以及晶体中原子扩散的微观机构,所得理论估算值更接近了实验值。
荣剑英董兴才
关键词：晶体点缺陷配位数
在磁场中生长半导体致冷晶体
1991年
通常用区熔法生长的Te-Bi-Sb-Se致冷晶体,长期存在均匀性不好,容易解理等问题,严重影响半导体致冷器生产中的成品率和成品的使用寿命,为解决这些问题,我们采用在强磁场中区熔生长方法,在适当强度的磁场作用下,从晶体外观就可以看出,晶体解理面的平行度发生了变化,磁场使p型晶体材料抗压强度增大近一倍。
赵秀平董兴才李将录荣剑英赵洪安
关键词：磁场
半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和...
赵秀平李将录荣剑英赵洪安董兴才夏德勇
半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和...
赵秀平李将录荣剑英赵洪安董兴才夏德勇
文献传递
小型微波谐振腔型加热器的研制和应用
1989年
本文报导了频率为2450MH_z的谐振腔型加热器。在尺寸与结构上实现了小型化,便于携带。腔内能量分布由于采用了平面螺旋天线及介质加载,使其均匀性得到了很大改善。
董兴才关成祥
关键词：加热器微波天线
赝三元半导体致冷材料的研究被引量：1
1993年
研究出高优值系数的P型和N型赝三元系Bi_2Te_3-Sb_2Te_3-Sb_2Se_3半导体致冷材料,在室温附近最高优值可达到3.2×10^(-3)/K以上。讨论了晶体结构特点和生长条件对材料温差电特性的影响。
赵秀平李将禄荣剑英董兴才赵洪安
关键词：半导体制冷材料
大尺寸P型赝三元温差电取向晶体的研制被引量：10
1997年
大尺寸Ｐ型赝三元温差电取向晶体的研制荣剑英段福莲赵洪安吕长荣董兴才李将录赵秀平（哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨１５００８０）ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆＰｔｙｐｅＬａｒｇｅＳｉｚｅＰｓｅｕｄｏｔｅｒｎａｒｙＴｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃＯｒｉｅｎｔｅｄＣ...
荣剑英段福莲赵洪安吕长荣董兴才李将录赵秀平
关键词：P型半导体垂直区熔法晶体
大尺寸(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)晶体的生长及性能被引量：1
1997年
大尺寸（Ｂｉ２Ｔｅ３）０．９０（Ｓｂ２Ｔｅ３）０．０５（Ｓｂ２Ｓｅ３）０．０５晶体的生长及性能荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平（哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨１５００８０）ＧｒｏｗｔｈａｎｄＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＬａｒｇｅＳｉｚｅ（Ｂｉ２Ｔ...
荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平
关键词：N型半导体垂直区熔法晶体生长
p 型赝三元温差电材料的研制被引量：13
1993年
通过研究组分、掺杂和晶体生长条件对材料温差电性能的影响,采用熔炼—区熔法研制出较均匀的高性能赝三元 p 型温差电材料 Te:(Sb_2Te_3)_0.75(1-x)(Bi_2Te_3)_(0.25(1-x))(Sb_2Se_3)(?)生长出的晶锭的85%的部分,温差电优值 z=2.9～3.3×10^(-3)/K。其性能高于目前国内的赝二元材料,达到了国外的较高水平,用这种材料制作的温差电致冷器件获得了很好的致冷效果。
荣剑英赵秀平李将录董兴才赵洪安
关键词：固溶体铋碲锑硒
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