您的位置: 专家智库 > >

艾明哲

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:四川省科技支撑计划国际科技合作与交流专项项目国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇短路
  • 2篇磁导
  • 2篇磁导率
  • 1篇微带
  • 1篇芯片
  • 1篇开关芯片
  • 1篇缓冲层
  • 1篇复磁导率
  • 1篇复数磁导率
  • 1篇测量技术
  • 1篇磁性
  • 1篇磁性薄膜

机构

  • 3篇电子科技大学
  • 1篇上海腾怡半导...

作者

  • 3篇艾明哲
  • 2篇彭斌
  • 1篇张万里
  • 1篇余涛
  • 1篇徐慧中
  • 1篇贾雅婷

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇磁性材料及器...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
磁性薄膜复数磁导率的短路微带线法测试
2014年
基于传输线理论提出了测试磁性薄膜复数磁导率的短路微带线法,利用磁性薄膜标准Lorentzian形式的复数磁导率频谱验证了短路微带线法的正确性。结果表明,短路微带线法在DC^5GHz的频率范围内具有较高的精确性。同时设计和制作了DC^5GHz的测试夹具,用其测试了NiFe磁性薄膜的复数磁导率并用标准Lorentzian形式磁谱对测试结果进行数据拟合。结果表明,从所设计的微带夹具测得的S11能够较为精确地获得磁性薄膜的复数磁导率。最后分析了该测试方法的测试误差来源。
骆俊百余涛艾明哲彭斌张万里
关键词:磁性薄膜复数磁导率
基于各向异性磁阻的开关芯片的制备及优化被引量:3
2013年
采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大。当Ta层的厚度在5nm左右时,NiFe更容易形成(111)织构,这时其磁阻值也最大。利用优化后的工艺,在晶元上制备NiFe薄膜,测试结果显示出开关特性,其开关场分别在398和796A/m左右。
艾明哲贾雅婷陈忠志徐慧中彭斌
关键词:缓冲层
短路微带线法测量磁性薄膜材料的复磁导率
磁性薄膜可以广泛应用于高速电子工业的各个领域,比如:信息存储,电磁兼容,磁场传感器,微波通讯器件等。随着磁性薄膜器件向小型化和向高频应用方向发展,获得测试磁性在薄膜高频下的电磁参数显得尤为重要。  磁性材料的高频特性,温...
艾明哲
关键词:复磁导率测量技术
共1页<1>
聚类工具0