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徐慧中

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金：四川省科技支撑计划更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇芯片
  • 1篇开关芯片
  • 1篇缓冲层

机构

  • 1篇电子科技大学
  • 1篇上海腾怡半导...

作者

  • 1篇艾明哲
  • 1篇彭斌
  • 1篇徐慧中
  • 1篇贾雅婷

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于各向异性磁阻的开关芯片的制备及优化被引量：3
2013年
采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大。当Ta层的厚度在5nm左右时,NiFe更容易形成(111)织构,这时其磁阻值也最大。利用优化后的工艺,在晶元上制备NiFe薄膜,测试结果显示出开关特性,其开关场分别在398和796A/m左右。
艾明哲贾雅婷陈忠志徐慧中彭斌
关键词：缓冲层
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