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刘存生: 作品数：52 被引量：2H指数：1; 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>; 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>; 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术理学更多>>

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一种多晶硅表面粗糙度的处理方法: 本发明公开了一种多晶硅表面粗糙度的处理方法，属于半导体集成电路领域，在进行多晶前层氧化工艺前，对待氧化的硅片进行酸液预处理和对氧化设备进行氧化预处理，多晶前层氧化后，间隔一定时间进行多晶淀积工艺，所述间隔时间小于2h。本...; 葛洪磊梁永杰刘如征陈宝忠刘存生刘依思; 文献传递

基于BCD工艺的LDMOS器件栅结构优化研究进展: 2025年; LDMOS(Lateral Double-diffused complementary Metal Oxide Semiconductor)器件具有开关速度快、驱动能力强、输入阻抗高、热稳定性好等特点,主要应用于智能功率集成电路,是BCD工艺中的主流功率器件。目前关于LDMOS器件研究的热点主要集中在对其结构的优化,重点是如何平衡击穿电压和比导通电阻这一对矛盾优化参数。为了平衡这两种参数以获得更高性能的LDMOS器件,提出了各种性能优化方法。在LDMOS器件中引入多栅结构作为一种有效的性能提升方法有着其得天独厚的优势,但相关研究较少。以近年来报道的LDMOS器件各种新结构中的多栅结构优化为主,分析了多栅结构对于LDMOS器件的性能的影响,详细讨论了双栅、平面栅、槽栅、漂移区栅和三栅在改善LDMOS器件性能中所起的作用和效果,最后总结了这些新结构与传统结构的优缺点。; 鲁文举赵杰曹磊田凯刘存生; 关键词：LDMOS BCD工艺比导通电阻击穿电压

一种可对非受光区遮挡的光敏二极管结构及制作方法: 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种可对非受光区遮挡的光敏二极管结构及制备方法，该结构包括光敏二极管和金属互联单元层；所述金属互联单元层布设在光敏二极管的顶面，所述光敏二极管的顶面中心位置处设有受光区，且在受光区的两侧分...; 王成熙赵杰王英民陈宝忠刘存生折宇卓青青信会菊白帅史泽堃

功率MOSFET抗单粒子加固技术研究被引量：1: 2024年; 针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂的外延缓冲层来降低纵向电场梯度,减弱了非平衡载流子在栅敏感区的累积,并开发了台阶栅介质结构提升栅敏感区的临界场强。实验结果表明,经过加固的功率MOSFET在满额漏源工作电压和15 V栅源负偏电压的偏置条件下,单粒子烧毁和栅穿LET值大于75 MeV·cm^(2)/mg。在相同辐照条件下,加固器件的栅源负偏电压达到15~17 V,较加固前的7~10 V有显著提升。; 陈宝忠宋坤王英民刘存生刘存生赵辉王小荷杨丽侠邢鸿雁王晨杰; 关键词：功率MOSFET 单粒子效应抗辐射加固单粒子烧毁

一种沟槽填充介质后的平坦化回刻方法: 本发明提供一种沟槽填充介质后的平坦化回刻方法，具体步骤如下，在硅基表面沟槽中填充双层介质，硅基表面由上到下形成第一介质层和第二介质层，在第一介质层上进行第一次光刻胶涂胶；对光刻胶和第一介质层进行刻蚀，刻蚀后硅基表面的光刻...; 王一义曾坤郝军代鹏昊李林刘存生; 文献传递

一种PN结复合多晶硅栅极结构、制备方法及其半导体器件: 本发明属于微电子半导体器件设计与制造领域，具体涉及一种PN结复合多晶硅栅极结构、制备方法及其半导体器件。本发明主要包括第一型多晶硅栅极和第二型多晶硅栅极，第二型多晶硅栅极包裹第一型多晶硅栅极除底面以外的全部表面，二者共同...; 田凯刘存生陈宝忠王小荷曹磊庞静

一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法及相关设备: 本发明公开了一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法及相关设备，在涂胶完成的圆片上，使用同一张光刻版在第一次曝光后，不重新更换光刻版的情况下，设置第一次曝光参数，根据第一次曝光参数对光刻版进行一次曝光，根据光刻版一次曝光后...; 赵永勋郎刚平闫树文马少亮李攀田曙光葛洪磊刘存生

一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法: 本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO<Sub>2</Sub>氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之...; 宋坤王英民孙有民王小荷曹磊陈宝忠刘存生; 文献传递

一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法: 本发明提供一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法，包括设置于SOI衬底片顶层硅中的P阱，以及设置于P阱两侧的STI浅槽隔离区；所述P阱表面设置有厚栅氧化层和薄栅氧化层；所述厚栅氧化层和薄栅氧化层上设置有栅极；所...; 宋坤王英民曹磊刘存生陈宝忠王小荷

一种提升铬硅薄膜电阻阻值稳定性的方法: 本发明提供了一种提升铬硅薄膜电阻阻值稳定性的方法，基于现有的集成电路制作方法，在衬底上，依次淀积绝缘层和铬硅电阻层，并对铬硅电阻层进行光刻工艺、刻蚀工艺后，再淀积金属连线层，并制备图形后进行湿法金属刻蚀和金属合金后，再淀...; 李博折宇陈宝忠赵沫沫李宁王刚平张旭杰姚晓军刘存生