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陈宝忠

作品数：44 被引量：2H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学轻工技术与工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理

主题

  • 9篇掺杂
  • 8篇多晶
  • 7篇半导体
  • 6篇电路
  • 6篇平带电压
  • 6篇刻蚀
  • 5篇电阻
  • 5篇抗辐射
  • 5篇抗辐射加固
  • 5篇集成电路
  • 5篇薄膜电阻
  • 5篇铬
  • 4篇底片
  • 4篇双极器件
  • 4篇准静态
  • 4篇外延层
  • 4篇半导体集成
  • 4篇半导体集成电...
  • 3篇电压
  • 3篇多晶硅

机构

  • 44篇西安微电子技...

作者

  • 44篇陈宝忠
  • 22篇刘存生
  • 5篇李宁
  • 5篇王小荷
  • 5篇薛东风
  • 4篇陈晓宇
  • 4篇赵杰
  • 4篇王清波
  • 4篇孙有民
  • 1篇杜欣荣
  • 1篇梁永杰
  • 1篇尤路
  • 1篇薛智民
  • 1篇吴兵

传媒

  • 1篇电子与封装
  • 1篇集成电路与嵌...

年份

  • 13篇2025
  • 4篇2024
  • 6篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 8篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2010
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于ISSG工艺的EEPROM存储器及制备方法
本发明涉及硅微电子技术领域，具体为一种基于ISSG工艺的EEPROM存储器及制备方法，该存储器以ISSG SiO<Sub>2</Sub>层作为内核器件和输入/输出器件的栅介质层，且存储管浮栅极与控制栅极之间的ONO介质层...
陈宝忠陈晓宇刘存生薛东风
一种解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法
本发明一种解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法，所述方法包括步骤1，先在待注入的硅衬底表面涂覆一层I线正性光刻胶膜，得到涂有光刻胶膜的硅衬底，之后对涂有光刻胶膜的硅衬底进行曝光，将具有图形的掩膜板上的图形转移至所述的...
李林曾坤信会菊郎刚平陈宝忠
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一种提升铬硅薄膜电阻表观合格率的结构及方法
本发明公开了一种提升铬硅薄膜电阻表观合格率的结构及方法，硅基衬底清洗，为保证工艺可实现性和合理性，铬硅薄膜电阻下方介质层通常由化学气相淀积方法实现，该类制造方法生成的最顶层薄膜，是在生长设备淀积环境与结束淀积之间的时段形...
折宇李博张旭杰赵沫沫陈宝忠姚晓军刘存生刘如征
一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法
本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO<Sub>2</Sub>氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之...
宋坤王英民孙有民王小荷曹磊陈宝忠刘存生
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一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法
本发明提供一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法，包括设置于SOI衬底片顶层硅中的P阱，以及设置于P阱两侧的STI浅槽隔离区；所述P阱表面设置有厚栅氧化层和薄栅氧化层；所述厚栅氧化层和薄栅氧化层上设置有栅极；所...
宋坤王英民曹磊刘存生陈宝忠王小荷
一种监控高温炉管内掺杂浓度的方法
本发明一种监控高温炉管内掺杂浓度的方法，通过将易于实现的扩散操作融入含有待监控衬底片的MOS结构之中，使测试区域O<Sub>1</Sub>和区域O<Sub>2</Sub>带有不同的掺杂分布，进一步测试MOS结构区域O<S...
葛洪磊刘如征李宁陈宝忠
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一种监控离子注入掺杂浓度的方法
本发明一种监控离子注入掺杂浓度的方法，通过将离子注入操作融入MOS结构衬底片的任意一半表面，使测试区域表面两边带有不同的掺杂分布，进一步测试两边的准静态C‑V特性和高频C‑V特性，计算出表面两边的平带电压差值；在同一工艺...
葛洪磊刘如征李宁陈宝忠
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一种高厄利电压的双极器件及其制作方法
本发明公开了一种高厄利电压的双极器件及其制作方法，所述双极器件包括3个金属连线和衬底；衬底上方依次设置N埋层、第一外延层、第二外延层和SiO<Sub>2</Sub>层；3个金属连线分别穿过SiO<Sub>2</Sub>层...
任永宁陈宝忠孙有民王清波刘如征葛洪磊马朝柱刘依思
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一种阈值可调的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明公开了一种阈值可调的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：漂移区；体区，从漂移区的上表面向下形成于漂移区内；栅氧化层，形成于漂移区和体区的上表面；PN结复合多晶硅栅极，形成于栅氧化层的上表面，由第一型多晶硅...
田凯刘存生王成熙陈宝忠
一种倾角硅槽刻蚀工艺
本发明公开了一种倾角硅槽刻蚀工艺，包括以下步骤：在待刻蚀晶圆的表面生成硬掩膜层，在硬掩膜层表面涂光刻胶，曝光显影，露出需要刻蚀的硬掩膜层窗口；在露出的窗口处进行硬掩膜刻蚀，刻蚀至晶圆表面；在完成硬掩膜刻蚀的窗口处进行硅槽...
郝军李林代鹏昊何鑫鑫陈宝忠
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