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薛智民

作品数：27 被引量：4H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 15篇晶体管
  • 8篇总剂量
  • 7篇总剂量辐射
  • 7篇抗辐射
  • 7篇场效应
  • 7篇场效应晶体管
  • 6篇晶体管结构
  • 6篇掺杂
  • 5篇导通
  • 5篇导通电阻
  • 5篇电阻
  • 4篇深源
  • 4篇击穿电压
  • 4篇氧
  • 4篇场区
  • 3篇集电区
  • 3篇发射区
  • 3篇HTO
  • 3篇MOS场效应...
  • 2篇单粒子

机构

  • 27篇西安微电子技...

作者

  • 27篇薛智民
  • 20篇孙有民
  • 12篇赵杰
  • 10篇王清波
  • 8篇薛东风
  • 7篇刘存生
  • 7篇陈晓宇
  • 6篇杜欣荣
  • 5篇王小荷
  • 3篇赵桂茹
  • 1篇刘文平
  • 1篇陈宝忠
  • 1篇孙丽玲
  • 1篇赵亮
  • 1篇吴兵
  • 1篇李宁

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子与封装
  • 1篇电子设计工程

年份

  • 6篇2023
  • 2篇2022
  • 7篇2021
  • 7篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2010
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高可靠抗辐射CMOS复合栅工艺被引量：1
2020年
针对CMOS器件栅氧化层的早期失效问题,研究了化学气相沉积(CVD)氧化层/热氧化层的双层复合栅结构。对高温氧化(HTO)层、等离子体增强正硅酸乙酯(PETEOS)和低压正硅酸乙酯(LPTEOS)三种CVD氧化层进行了对比,从中优选HTO层作为复合栅的CVD氧化层,制备了一款专用集成电路(ASIC),并使用60Co源γ射线对其进行3×103 Gy(Si)总剂量辐照试验。结果表明,HTO/SiO2复合栅能够满足电路的阈值电压、功耗、延时等参数要求,并具有较好的抗总剂量辐射性能。由于SiO2层和HTO层中缺陷线的错位排列,避免了复合栅从HTO上表面到SiO2下表面的漏电通路,明显减少了电路与栅氧化层相关的早期失效。HTO/SiO2复合栅结构对于小尺寸(亚微米)CMOS和特种工艺器件的栅氧化层可靠性和抗辐射性能的提升具有一定的借鉴价值。
陈晓宇葛洪磊赵桂茹孙有民薛智民
关键词：CMOS总剂量效应
一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺
本发明一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺，所述工艺先形成N阱和P阱，然后进行N场条注入，提高了最终形成的NMOS器件场区边缘处的开启阈值，接着多晶栅覆盖栅氧下方的硅衬底中形成器件沟道，N型和P型轻掺杂源漏...
陈晓宇曹磊宋坤赵杰孙有民薛智民
文献传递
一种星用抗辐射沟槽型MOS管的加固结构和制备方法
本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内...
王晨杰王英民刘存生薛智民孙有民王小荷
一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法
本发明公开了一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法，该制备方法是一种通过调整P型区杂质纵向分布改善稳压二极管击穿电压稳定性的工艺方法，通过高能离子注入工艺，降低稳压二极管P型区杂质浓度梯度：采用高能离子注入后低温退火...
王清波薛东风薛智民孙有民赵杰
文献传递
一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法
本发明公开了一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法，提供P型衬底，通过N型离子注入，在P型衬底上形成BNW区；在BNW区的底部形成一定厚度的DNW区；在BNW区上端面的边缘和内部分别形成一个闭环的场区隔离；在...
陈晓宇赵杰孙有民薛智民
文献传递
一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法
本发明公开了一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法，通过多层布线形成：通过多层布线工艺，在晶体管表面形成一层与最低电位连通的地电位层，从而在晶体管各掺杂区与地电位层之间的二氧化硅绝缘层中形成一个指向地电位...
王清波薛东风赵杰薛智民孙有民杜欣荣卓青青
一种横向扩散MOS场效应晶体管及其制备方法
本发明公开一种横向扩散MOS场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括由下至上依次设置的衬底硅层、埋氧层和硅膜层；硅膜层的两端分别形成阱、漏极，并在阱与漏极之间形成超薄硅层漂移区；阱上具有源级、栅极，漂移区上具有场板；所述硅膜...
宋坤王英民孙有民薛智民王小荷曹磊
文献传递
TRIPLE RESURF LDMOS器件的优化设计被引量：1
2017年
提出了一种新型TRIPLE RESURF结构的LDMOS器件,与普通的TRIPLE RESURF结构不同的是埋层采用了分区注入,即在靠近源端一侧采用较高注入剂量,在靠近漏端一侧则采用较低的注入剂量。因而会降低漏端表面电场峰值,提高了击穿电压。利用SILVACO TCAD软件分析了各个参数对击穿电压和比导通电阻的影响,与普通的TRIPLE RESURF结构相比,在比导通电阻不变时,击穿电压则提高了15 V。
颜世朋薛智民王清波
关键词：击穿电压比导通电阻
亚微米PD CMOS/SOI工艺及H栅单边体引出研究
2010年
研究开发了0.4μm PD CMOS/SOI工艺,试制出采用H栅双边体引出的专用电路。对应用中如何克服PD SOI MOSFET器件的浮体效应进行了研究;探讨在抑制浮体效应的同时减少对芯片面积影响的途径,对H栅双边体引出改为单边体引出进行了实验研究。对沟道长度为0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.8μm的H栅PD SOI MOSFET单边体引出器件进行工艺加工及测试,总结出在现有工艺下适合单边体引出方式的MOSFET器件尺寸,并对引起短沟道PMOSFET漏电的因素进行了分析,提出了改善方法;对提高PD CMOS/SOI集成电路的设计密度和改进制造工艺具有一定的指导意义。
李宁刘存生孙丽玲薛智民
关键词：亚微米工艺浮体效应
一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺
本发明一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺，所述工艺先形成N阱和P阱，然后进行N场条注入，提高了最终形成的NMOS器件场区边缘处的开启阈值，接着多晶栅覆盖栅氧下方的硅衬底中形成器件沟道，N型和P型轻掺杂源漏...
陈晓宇曹磊宋坤赵杰孙有民薛智民
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