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北京天科合达半导体股份有限公司

作品数：230 被引量：20H指数：4
相关机构：江苏天科合达半导体有限公司新疆天科合达蓝光半导体有限公司北京天科合达新材料有限公司更多>>
发文基金：北京市科技新星计划国家高技术研究发展计划北京市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 206篇专利
  • 14篇标准
  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 35篇电子电信
  • 20篇化学工程
  • 12篇自动化与计算...
  • 10篇理学
  • 5篇文化科学
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇经济管理
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 90篇碳化硅
  • 56篇晶片
  • 51篇单晶
  • 47篇籽晶
  • 40篇碳化硅单晶
  • 40篇硅单晶
  • 29篇晶体
  • 22篇位错
  • 21篇抛光
  • 21篇坩埚
  • 20篇晶体生长
  • 18篇半导体
  • 18篇衬底
  • 15篇包裹物
  • 13篇晶圆
  • 12篇石墨
  • 11篇碳化硅衬底
  • 11篇硅衬底
  • 9篇晶片加工
  • 8篇禁带

机构

  • 230篇北京天科合达...
  • 126篇江苏天科合达...
  • 60篇新疆天科合达...
  • 23篇北京天科合达...
  • 8篇有色金属技术...
  • 7篇中国科学院
  • 6篇中国电子科技...
  • 3篇哈尔滨科友半...
  • 3篇山东天岳先进...
  • 3篇山西烁科晶体...
  • 2篇河北普兴电子...
  • 2篇长飞光纤光缆...
  • 2篇山东有研半导...
  • 2篇新疆天富能源...
  • 2篇宁波合盛新材...
  • 2篇河北同光晶体...
  • 2篇中电化合物半...
  • 2篇浙江晶瑞电子...
  • 1篇北京大学
  • 1篇北京科技大学

作者

  • 3篇彭同华
  • 1篇娄艳芳
  • 1篇贺东江
  • 1篇高伟
  • 1篇袁文霞

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇首席财务官
  • 1篇中国照明电器
  • 1篇中文科技期刊...

年份

  • 52篇2025
  • 47篇2024
  • 39篇2023
  • 31篇2022
  • 26篇2021
  • 12篇2020
  • 10篇2019
  • 5篇2018
  • 2篇2017
  • 6篇2016
共 230 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高纯碳化硅粉料的制备方法
本发明提供了一种高纯碳化硅粉料的制备方法。与现有技术相比，本发明通过在打孔石墨圆筒内将碳硅混合原料进行高温固相反应即可得到高纯碳化硅粉末，同时可通过调控打孔石墨圆筒的孔洞使合成过程中碳硅原料具有方向性，从而得到粒径可控且...
尤悦娄艳芳刘春俊刘强杨帆王宝良彭同华杨建
一种晶棒的切割方法以及切割装置
本申请公开了一种晶棒的切割方法以及切割装置，所述切割方法包括：在切割晶棒的过程中，获取切割线相对于所述晶棒的当前切割位置；基于所述切割位置，控制所述切割线的运行速度与所述切割线和所述晶棒的圆心之间的距离为正相关。在所述方...
张文 罗奔 张雪峰 蔡振立 郭钰 刘春俊 彭同华 杨建
一种制备大尺寸高纯半绝缘碳化硅单晶的生长方法
本发明提供了一种工作状态下的碳化硅晶体生长炉。本发明还提供了一种制备大尺寸高纯半绝缘碳化硅单晶的生长方法，通过在碳化硅晶体生长前，增加了高温高压大流量冲洗腔体的关键工艺，高压下可有效保护碳化硅籽晶不被破坏，高温下可使吸附...
刘春俊王光明娄艳芳姚静雍庆王波赵宁彭同华杨建
文献传递
一种高质量SiC单晶片及其制备方法
本发明公开了一种高质量SiC单晶片，包括：所述SiC单晶片具有直径不小于100mm的单一晶型；所述SiC单晶片从室温升温到1450℃以上，翘曲度值小于100μm，弯曲度绝对值小于60μm。本发明还提供了一种高质量SiC单...
娄艳芳刘春俊赵宁彭同华杨建
文献传递
碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法
本发明公开一种碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法，坩埚结构包括坩埚主体，设有碳化硅原料腔体和顶部开口；封闭所述顶部开口的坩埚盖，所述坩埚盖底部设置有籽晶；至少布置在碳化硅原料腔体的目标原料位以下的石墨过滤结构...
雍庆娄艳芳刘春俊王光明姚静张宁彭同华杨建
文献传递
一种控制大尺寸的碳化硅衬底面型的加工方法及加工系统
本申请提供了一种控制大尺寸的碳化硅衬底面型的加工方法及加工系统，涉及半导体衬底加工技术领域。本申请提供的技术方案，在对碳化硅晶片进行减薄前，先通过晶片双面研磨去除量与晶片弯曲度的线性关系，分析得到目标晶片弯曲度，如果目标...
冉梦雨眭旭段鑫郭钰刘春俊彭同华杨建
一种碳化硅晶圆清洗干燥的工艺
本发明提供了一种碳化硅晶圆清洗干燥的工艺，包括以下步骤：A)将清洗后的带有卡塞的晶圆浸入水中；B)利用干燥槽底部的支撑机构将晶圆以第一上移速度推出液面，同时在晶圆的表面喷洒异丙醇和氮气的混合气体，进行干燥，上移至第一位置...
李珮珮陈姣姣王桂玲赵博深赵岩张贺王波彭同华杨建
一种晶圆清洗装置
本实用新型公开了一种晶圆清洗装置。该晶圆清洗装置包括：第一槽体，设有溢流孔，且第一槽体内设置有能够承载待清洗晶圆的载台，第一槽体能够与第一气源导通；第二槽体，设有能够容纳第一槽体的容纳空间；水力空化器，连通第一槽体和第二...
张翔宇宋林娜张贺王芃罗占勇王波彭同华杨建
一种干燥装置及其顶刀
本发明公开了一种干燥装置及其顶刀，该顶刀包括顶刀本体；顶刀本体用于同晶圆配合的固定结构为轴对称结构，至少用于为晶圆提供对称的两处支撑；固定结构的最低处开设有排水结构，贯通顶刀本体的侧壁。本方案一方面将固定结构设置为轴对称...
王桂玲赵岩赵博深张贺王波彭同华杨建
一种生长高质量SiC晶体的籽晶处理方法
本发明公开了一种生长高质量SiC晶体的籽晶处理方法。该方法包括：将粘结在石墨托上的SiC籽晶放在坩埚上并置于高温炉中，在Ar保护气氛中充入一定量H2后升温到1750~1900℃，利用高温下H2可以与SiC和碳化的粘接剂发...
王波王光明彭同华
文献传递
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