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江苏天科合达半导体有限公司

作品数：126 被引量：0H指数：0
相关机构：北京天科合达半导体股份有限公司新疆天科合达蓝光半导体有限公司北京天科合达新材料有限公司更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 125篇专利
  • 1篇标准

领域

  • 26篇电子电信
  • 12篇化学工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 3篇理学
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 48篇碳化硅
  • 41篇晶片
  • 31篇籽晶
  • 30篇单晶
  • 23篇碳化硅单晶
  • 23篇硅单晶
  • 14篇晶体
  • 11篇位错
  • 11篇半导体
  • 11篇衬底
  • 10篇坩埚
  • 10篇晶体生长
  • 7篇抛光
  • 7篇晶片加工
  • 6篇单晶片
  • 6篇石墨
  • 6篇碳化硅衬底
  • 6篇外延片
  • 6篇晶圆
  • 6篇硅衬底

机构

  • 126篇江苏天科合达...
  • 126篇北京天科合达...
  • 34篇新疆天科合达...
  • 17篇北京天科合达...
  • 1篇山东有研半导...

年份

  • 34篇2025
  • 18篇2024
  • 23篇2023
  • 18篇2022
  • 24篇2021
  • 8篇2020
  • 1篇2019
共 126 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种晶棒的切割方法以及切割装置
本申请公开了一种晶棒的切割方法以及切割装置，所述切割方法包括：在切割晶棒的过程中，获取切割线相对于所述晶棒的当前切割位置；基于所述切割位置，控制所述切割线的运行速度与所述切割线和所述晶棒的圆心之间的距离为正相关。在所述方...
张文 罗奔 张雪峰 蔡振立 郭钰 刘春俊 彭同华 杨建
一种制备大尺寸高纯半绝缘碳化硅单晶的生长方法
本发明提供了一种工作状态下的碳化硅晶体生长炉。本发明还提供了一种制备大尺寸高纯半绝缘碳化硅单晶的生长方法，通过在碳化硅晶体生长前，增加了高温高压大流量冲洗腔体的关键工艺，高压下可有效保护碳化硅籽晶不被破坏，高温下可使吸附...
刘春俊王光明娄艳芳姚静雍庆王波赵宁彭同华杨建
文献传递
一种高质量SiC单晶片及其制备方法
本发明公开了一种高质量SiC单晶片，包括：所述SiC单晶片具有直径不小于100mm的单一晶型；所述SiC单晶片从室温升温到1450℃以上，翘曲度值小于100μm，弯曲度绝对值小于60μm。本发明还提供了一种高质量SiC单...
娄艳芳刘春俊赵宁彭同华杨建
文献传递
碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法
本发明公开一种碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法，坩埚结构包括坩埚主体，设有碳化硅原料腔体和顶部开口；封闭所述顶部开口的坩埚盖，所述坩埚盖底部设置有籽晶；至少布置在碳化硅原料腔体的目标原料位以下的石墨过滤结构...
雍庆娄艳芳刘春俊王光明姚静张宁彭同华杨建
文献传递
一种控制大尺寸的碳化硅衬底面型的加工方法及加工系统
本申请提供了一种控制大尺寸的碳化硅衬底面型的加工方法及加工系统，涉及半导体衬底加工技术领域。本申请提供的技术方案，在对碳化硅晶片进行减薄前，先通过晶片双面研磨去除量与晶片弯曲度的线性关系，分析得到目标晶片弯曲度，如果目标...
冉梦雨眭旭段鑫郭钰刘春俊彭同华杨建
一种碳化硅晶圆清洗干燥的工艺
本发明提供了一种碳化硅晶圆清洗干燥的工艺，包括以下步骤：A)将清洗后的带有卡塞的晶圆浸入水中；B)利用干燥槽底部的支撑机构将晶圆以第一上移速度推出液面，同时在晶圆的表面喷洒异丙醇和氮气的混合气体，进行干燥，上移至第一位置...
李珮珮陈姣姣王桂玲赵博深赵岩张贺王波彭同华杨建
一种碳化硅晶片加工用盘及单面研磨机
本实用新型提供了一种碳化硅晶片加工用盘及单面研磨机，碳化硅晶片加工用盘的盘面上开设有深沟槽和浅沟槽；深沟槽和浅沟槽间隔设置，且深沟槽的深度大于浅沟槽的深度，深沟槽至少一端延伸出碳化硅晶片加工用盘，浅沟槽用于容纳研磨液，深...
张雨晨杨占伟张平邹宇
文献传递
一种晶片清洗用承载装置及清洗机
本实用新型提供了一种晶片清洗用承载装置及清洗机，晶片清洗用承载装置包括主体框架、上限位杆和下限位杆；主体框架通过连接杆首尾连接而成；主体框架的顶端设置有多个第一间隔板，相邻第一间隔板间形成上存放通槽，主体框架的底端设置有...
李秀丽张平邹宇
文献传递
一种晶片的清洗方法
本发明提供了一种晶片清洗方法，包括：将晶片依次进行DIW清洗、SPM清洗、HQDR清洗、QDR1清洗、QDR2清洗、高浓度SC1清洗、QDR3清洗、DHF清洗、QDR4清洗、低等浓度SC1清洗、QDR5清洗、SC2清洗和...
李秀丽邹宇张平郭钰
一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的制造方法
本发明针对在籽晶接长时发生位错等缺陷大幅增加问题，提供了一种从生长的初期阶段开始显著降低位错密度的SiC单晶的生长方法，从而制造出位错密度从生长初期到末期都较低的SiC单晶。本发明涉及一种碳化硅单晶块的制造方法，其是在由...
娄艳芳刘春俊彭同华王波赵宁杨建
文献传递
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